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公开(公告)号:CN109950225B
公开(公告)日:2023-03-24
申请号:CN201811573029.3
申请日:2018-12-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/498
Abstract: 半导体器件包括安装在布线衬底上方的半导体芯片。用于输入的信号布线和用于输出的信号布线被布置在布线衬底中的不同布线层中并且彼此重叠,用于输入的信号布线传输至半导体芯片的输入信号,用于输出的信号布线传输来自半导体芯片的输出信号。在布线衬底的厚度方向上,每个信号布线被夹置在被供给有参考电位的导体平面之间。在半导体芯片的前表面中,用于输入的信号电极和用于输出的信号电极布置在不同的行中。在用于输出的信号布线比用于输入的信号布线在布线衬底中位于更高层中的情况下,与用于输入的信号电极相比,用于输出的信号电极被布置在更靠近前表面的外边缘的行中。
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公开(公告)号:CN109950225A
公开(公告)日:2019-06-28
申请号:CN201811573029.3
申请日:2018-12-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/498
Abstract: 半导体器件包括安装在布线衬底上方的半导体芯片。用于输入的信号布线和用于输出的信号布线被布置在布线衬底中的不同布线层中并且彼此重叠,用于输入的信号布线传输至半导体芯片的输入信号,用于输出的信号布线传输来自半导体芯片的输出信号。在布线衬底的厚度方向上,每个信号布线被夹置在被供给有参考电位的导体平面之间。在半导体芯片的前表面中,用于输入的信号电极和用于输出的信号电极布置在不同的行中。在用于输出的信号布线比用于输入的信号布线在布线衬底中位于更高层中的情况下,与用于输入的信号电极相比,用于输出的信号电极被布置在更靠近前表面的外边缘的行中。
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