公开(公告)号：CN115873524A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211183306.6

申请日：2022-09-27

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 梅泽昌弘 ,  坂东沙也香 ,  田村和幸

IPC: C09J7/29 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J175/14 ,  C09J11/06 ,  C09D153/02 ,  C09D123/14 ,  C09D183/07 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及半导体加工用粘合片及其制造方法、以及使用该半导体加工用粘合片的半导体装置的制造方法，所述半导体加工用粘合片依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，上述表面涂层是由含有有机硅化合物的表面涂层形成用组合物形成的层。

公开(公告)号：CN115873525A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211184038.X

申请日：2022-09-27

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 梅泽昌弘 ,  坂东沙也香 ,  田村和幸

IPC: C09J7/29 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J175/14 ,  C09J11/06 ,  C09D153/02 ,  C09D123/14 ,  C09D183/07 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及半导体加工用粘合片及使用该半导体加工用粘合片的半导体装置的制造方法，所述半导体加工用粘合片依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，上述表面涂层相对于SUS304的静摩擦系数为0.70以下。

公开(公告)号：CN119614087A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202411069296.2

申请日：2024-08-06

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 梅泽昌弘 ,  山口征太郎

IPC: C09J7/25 ,  C09D175/14 ,  C09D153/02 ,  H01L21/683 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的课题在于提供生产性优异、抑制了磨削屑的附着量的工件加工用粘合片及其制造方法、以及使用上述工件加工用粘合片的电子器件装置的制造方法。本发明的解决方法为依次具有表面涂布层、缓冲层、基材及粘合剂层、且二碘甲烷相对于上述表面涂布层的23℃下的静态接触角为43°以上的工件加工用粘合片及其制造方法、以及使用上述工件加工用粘合片的电子器件装置的制造方法。

公开(公告)号：CN117645844A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202311120811.0

申请日：2023-09-01

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 梅泽昌弘 ,  安达一政

IPC: C09J7/25 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30 ,  H01L21/683 ,  C09J7/30 ,  C09J4/06 ,  C09J4/02 ,  C09D4/06 ,  C09D4/02 ,  C09D7/62 ,  C09D175/16

Abstract: 本发明涉及半导体加工用粘合片以及使用该半导体加工用粘合片的半导体装置的制造方法，所述半导体加工用粘合片依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，所述表面涂层含有苯乙烯类树脂，所述苯乙烯类树脂中的源自苯乙烯类化合物的结构单元的含量为50质量％以上。

公开(公告)号：CN116918039A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202180094836.0

申请日：2021-10-14

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 坂东沙也香 ,  梅泽昌弘 ,  田村和幸

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明涉及半导体加工用粘合片、以及使用该半导体加工用粘合片的半导体装置的制造方法，所述半导体加工用粘合片依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，所述表面涂层在23℃下与水的静态接触角为85°以上。

公开(公告)号：CN117645845A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202311120838.X

申请日：2023-09-01

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 梅泽昌弘 ,  安达一政

IPC: C09J7/25 ,  C09J7/30 ,  C09J4/06 ,  C09J4/02 ,  C09D4/06 ,  C09D4/02 ,  C09D7/62 ,  C09D175/16 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及半导体加工用粘合片、以及使用该半导体加工用粘合片的半导体装置的制造方法，所述半导体加工用粘合片依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，上述表面涂层是含有树脂成分和经过了疏水化处理的二氧化硅的层。

公开(公告)号：CN116918038A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202180094835.6

申请日：2021-10-14

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 梅泽昌弘 ,  坂东沙也香 ,  田村和幸

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明涉及半导体加工用粘合片、以及使用该半导体加工用粘合片的半导体装置的制造方法，所述半导体加工用粘合片依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，所述表面涂层是含有聚烯烃类树脂的层。