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公开(公告)号：CN118280668A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410334720.5
申请日：2024-03-22
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供了一种双导电杆型超/特高压交直流GIS/GIL绝缘结构及设计方法，该绝缘结构包括壳体，填充在所述壳体内部的绝缘气体，设置在所述壳体内部的支撑绝缘子，以及固定在所述支撑绝缘子上的导电杆，所述壳体内间隔设有两根所述导电杆，所述支撑绝缘子包括导体包裹部和支撑部，所述导体包裹部通过支撑部固定在所述壳体上，两根所述导电杆贯穿所述导体包裹部。本发明通过双导电杆优化GIL/GIS电场分布情况，降低绝缘子最大强场区域的法向分量以及其他区域表面的切向场强幅值，提升绝缘水平，降低设备放电概率。
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