公开(公告)号：CN119232136A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411383697.5

申请日：2024-09-30

Applicant: 清华大学

Inventor： 余占清 ,  陈政宇 ,  陈世萍 ,  时家旭 ,  樊志刚 ,  曾嵘 ,  吴锦鹏 ,  刘佳鹏 ,  赵彪 ,  屈鲁

IPC: H03K19/0175

Abstract: 本公开属于电子电路技术领域，特别涉及一种高电源转换速率耐受的新型浮动电压电平转换电路。输入级由NDMOS晶体管HNM1和HNM2构成，浮动电压域由PDMOS晶体管HPM1‑HPM4，低压NMOS NM1‑NM2构成。其中，晶体管HPM1/NM1以及晶体管HPM2/NM2构成了一对夹紧反相器。本公开中，该电平转换电路的PDMOS之间不存在缩放关系，因此上拉管可以使用强的PDMOS(HPM1和HPM2)来实现较快的转换速度，解决了传统高压电平转换电路的局限性。4个PDMOS晶体管可以放置在与浮动电路相同的N阱中(PDMOS体连接到VDDH)。这将每个电平转换器所需的N阱数量从6个减少到4个，从而节省20‑30％的面积。该浮动电压电平转换电路可抗高电源转换速率(dVSSH/dt)噪声，具有高可靠性。