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公开(公告)号：CN118142831A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410058708.6
申请日：2024-01-16
Applicant: 浙江大学
IPC: B06B1/06
Abstract: 本发明提供了一种集成波导压电微机械超声换能器及其制备方法，属于微机械超声换能器技术领域。包括波导段和PMUT芯片，所述PMUT芯片包括由下到上依次层叠的衬底、AlN种子层、底部电极层、AlN压电层、顶部电极层、绝缘层和引线层，所述衬底为SOI衬底，所述SOI衬底包括由下到上依次层叠的底硅层、埋氧层和结构硅层，所述AlN种子层位于所述结构硅层的表面；所述波导段为空腔，所述空腔为所述底硅层经过离子刻蚀得到，所述空腔的深度等于底硅层的厚度。本发明中，所述波导段的存在能够引导声波、集中声波能量，更好地传递声能和实现系统小型化，同时提高发射性能。
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公开(公告)号：CN115532572B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211261404.7
申请日：2022-10-14
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及一种多频压电微机械超声换能器及制备方法，涉及换能器领域，换能器包括：依次设置的顶电极层、压电层、底电极层、绝缘层、结构层和基体；所述基体上设置两个亥姆霍兹谐振腔；两个亥姆霍兹谐振腔通过颈部通道连通；所述结构层覆盖所述颈部通道和两个所述亥姆霍兹谐振腔。本发明将亥姆霍兹谐振腔与压电薄膜结合，能够实现换能器的多个谐振频率。
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公开(公告)号：CN115532572A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211261404.7
申请日：2022-10-14
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及一种多频压电微机械超声换能器及制备方法，涉及换能器领域，换能器包括：依次设置的顶电极层、压电层、底电极层、绝缘层、结构层和基体；所述基体上设置两个亥姆霍兹谐振腔；两个亥姆霍兹谐振腔通过颈部通道连通；所述结构层覆盖所述颈部通道和两个所述亥姆霍兹谐振腔。本发明将亥姆霍兹谐振腔与压电薄膜结合，能够实现换能器的多个谐振频率。
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