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公开(公告)号：CN106929921B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201710109849.6
申请日：2017-02-28
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种在陶瓷管上原位生长分级结构二硫化钼纳米花球的方法，属于纳米传感器的制备技术领域。本发明的方法包括以下步骤：一、在氧化铝陶瓷管上制备二硫化钼籽晶层；二、将覆盖有二硫化钼籽晶层的氧化铝陶瓷管置于二硫化钼生长溶液，120℃以上恒温水热生长12‑36 h，即可；所述二硫化钼生长溶液由钼酸钠、硫脲、柠檬酸和去离子水组成，其中，钼酸钠、硫脲的摩尔比为1:4‑5。本发明首次公开了在陶瓷管上原位生长分级结构二硫化钼纳米花球的方法；本发明的方法，无需先制备出二硫化钼粉末，而是直接在衬底上生长出呈花球状结构的二硫化钼；无需涂覆、步骤简单、耗时短。
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公开(公告)号：CN109273612A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811334914.6
申请日：2018-11-10
Applicant: 济南大学 , 济南汇喆新能源科技有限公司
Abstract: 本发明属于半导体光电子技术领域，具体为一种化学气相沉积制备方法钙钛矿太阳能电池的组装技术，该电池结构在FTO导电玻璃的FTO薄膜所在面上沉积致密层NiO2薄膜或PEDOT:PSS薄膜作为空穴传输层；在空穴传输层上通过连续化学气相沉积法制备钙钛矿光吸收层薄膜；在钙钛矿吸收层薄膜上制备电子传输层；最后在电子传输层上蒸镀Ag电极作为顶电极。从而提高了钙钛矿光吸收层薄膜质量、衬底覆盖性、稳定性及重复性，减少载流子复合。同时，这种制备方法简单，成本低廉，为钙钛矿太阳能电池的商业化应用提供了新的思路。
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公开(公告)号：CN106929921A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710109849.6
申请日：2017-02-28
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种在陶瓷管上原位生长分级结构二硫化钼纳米花球的方法，属于纳米传感器的制备技术领域。本发明的方法包括以下步骤：一、在氧化铝陶瓷管上制备二硫化钼籽晶层；二、将覆盖有二硫化钼籽晶层的氧化铝陶瓷管置于二硫化钼生长溶液，120℃以上恒温水热生长12‑36 h，即可；所述二硫化钼生长溶液由钼酸钠、硫脲、柠檬酸和去离子水组成，其中，钼酸钠、硫脲的摩尔比为1:4‑5。本发明首次公开了在陶瓷管上原位生长分级结构二硫化钼纳米花球的方法；本发明的方法，无需先制备出二硫化钼粉末，而是直接在衬底上生长出呈花球状结构的二硫化钼；无需涂覆、步骤简单、耗时短。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106866181B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201710095842.3
申请日：2017-02-22
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种在陶瓷管上原位生长海胆状Fe2O3纳米针的方法，属于纳米传感器的制备技术领域。本发明的方法，包括以下步骤：（1）将陶瓷管置于氯化铁和硫酸钠的混合溶液中，进行水热反应；（2）水热反应完成后，将陶瓷管在马弗炉中进行退火处理。本发明制备出海胆状Fe2O3纳米针的关键在于水热反应温度和水热反应时间的控制。首次公开了在氧化铝陶瓷管上原位生长海胆状氧化铁纳米针的方法。本发明的方法，无需事先制备出涂覆法所需粉末，无需手工涂覆；而是在氧化铝陶瓷管上直接生长出海胆状氧化铁纳米针。海胆状氧化铁纳米针的制备过程也是气敏陶瓷管的制备过程；步骤简单、耗时短；简化了传统气敏陶瓷管的制备工艺，省时省力，节约成本。
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公开(公告)号：CN107337473A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710610711.4
申请日：2017-07-25
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种在陶瓷管上原位生长MoO3纳米片的方法，属于纳米传感器的制备技术领域。该方法步骤为：（1）配置氧化钛籽晶层溶液；（2）配置氧化钼生长溶液：取0.1305 g的乙酰丙酮钼置于烧杯中后加入35 mL冰醋酸和2 mL去离子水，搅拌至完全溶解后转移至高压反应釜中；（3）片状结构纳米氧化钼的生长：将氧化铝陶瓷管在氧化钛籽晶层溶液中浸渍之后，于500℃煅烧2 h；水热生长。本发明的方法，无需事先制备出涂覆法所需粉末，无需手工涂覆，而是在氧化铝陶瓷管上直接生长出片状结构氧化钼。制成的传感器对三乙胺表现出较好的选择性，响应性有所提高。
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公开(公告)号：CN107337473B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201710610711.4
申请日：2017-07-25
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种在陶瓷管上原位生长MoO3纳米片的方法，属于纳米传感器的制备技术领域。该方法步骤为：（1）配置氧化钛籽晶层溶液；（2）配置氧化钼生长溶液：取0.1305 g的乙酰丙酮钼置于烧杯中后加入35 mL冰醋酸和2 mL去离子水，搅拌至完全溶解后转移至高压反应釜中；（3）片状结构纳米氧化钼的生长：将氧化铝陶瓷管在氧化钛籽晶层溶液中浸渍之后，于500℃煅烧2 h；水热生长。本发明的方法，无需事先制备出涂覆法所需粉末，无需手工涂覆，而是在氧化铝陶瓷管上直接生长出片状结构氧化钼。制成的传感器对三乙胺表现出较好的选择性，响应性有所提高。
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公开(公告)号：CN109378387A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811334915.0
申请日：2018-11-10
Applicant: 济南大学 , 济南汇喆新能源科技有限公司
Abstract: 本发明属于半导体光电子技术领域，具体为一种基于PLD生长无机CuGaO2透明薄膜的半透明电池，该电池结构从下至上依次为第一透明电极基板、空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层、第二透明电极基板，其中第二透明电极基板具体为导电层/光减反层复合结构，其中导电层为超薄金属Ag、Au或银纳米线；光减反层为MoO3或MgF2,其中除钙钛矿层为半透明结构外，其它层均为透明结构，从而有效提高了电池整体平均透过率，各层间形成良好的能级匹配，降低了电池整体的串联电阻，进而提高电池的光电转换效率、稳定性等。同时，本发明采用全新的透明电极，摒弃了传统透明电极ITO中原材料日益稀缺的不足，其优化的性能和稳定的结构为半透明钙钛矿太阳能电池的商业化应用提供了新的思路。
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公开(公告)号：CN106866181A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710095842.3
申请日：2017-02-22
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种在陶瓷管上原位生长海胆状Fe2O3纳米针的方法，属于纳米传感器的制备技术领域。本发明的方法，包括以下步骤：（1）将陶瓷管置于氯化铁和硫酸钠的混合溶液中，进行水热反应；（2）水热反应完成后，将陶瓷管在马弗炉中进行退火处理。本发明制备出海胆状Fe2O3纳米针的关键在于水热反应温度和水热反应时间的控制。首次公开了在氧化铝陶瓷管上原位生长海胆状氧化铁纳米针的方法。本发明的方法，无需事先制备出涂覆法所需粉末，无需手工涂覆；而是在氧化铝陶瓷管上直接生长出海胆状氧化铁纳米针。海胆状氧化铁纳米针的制备过程也是气敏陶瓷管的制备过程；步骤简单、耗时短；简化了传统气敏陶瓷管的制备工艺，省时省力，节约成本。
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