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公开(公告)号：CN103935956B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410148684.X
申请日：2014-04-15
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明公开一种基于针尖增强拉曼光谱的石墨烯纳米带边界修饰方法，先将边界待修饰的石墨烯纳米带转移到衬底上，使氮化硅悬臂导电探针与石墨烯纳米带接触，将加电探针直接压在石墨烯纳米带的顶端；氮化硅悬臂导电探针接上电源，通过氮化硅悬臂导电探针接与加电探针在石墨烯纳米带上施加偏压以构成回路，让电流穿过石墨烯纳米带；用氮化硅悬臂导电探针对石墨烯纳米带的边界进行扫描，控制扫描速度为10-30μm/s，边界的碳原子受到能量激发而自发进行原子重构，石墨烯边界生成晶态的原子级的石墨烯纳米带；在对石墨烯纳米带的边界进行重构的基础上不会对石墨烯纳米带引入其他缺陷，操作方便，且操作过程中便于监测。
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公开(公告)号：CN103941174B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410156595.X
申请日：2014-04-18
Applicant: 江苏大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种判别背栅石墨烯场效应晶体管器件失效的方法，先在漏极电极和源极电极之间施加500mV的电压，在n型Si衬底和源极电极之间施加-4V~4V的栅压，得到石墨烯场效应晶体管的转移特性曲线，该转移特性曲线表现为双极性，则石墨烯场效应晶体管没有失效；再将n型Si衬底和源极电极之间的栅压从0 V逐渐增加到10 V，测试通过栅极的电流，最后在漏极电极和源极电极之间施加500mV的电压，在n型Si衬底和源极电极之间施加扫描电压-4V~4V，得到晶体管的转移特性曲线，表现为单向导电性，则石墨烯场效应晶体管失效；通过测试晶体管的转移特性曲线即可判别出该器件是否已经发生击穿，操作简便。
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公开(公告)号：CN103935990B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410148721.7
申请日：2014-04-15
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明公开一种基于聚焦离子束系统的He离子刻蚀制备石墨烯纳米带方法，使用氢腐蚀平整均匀的台阶状SiC基底，获得晶面粗糙度小于0.2 nm的腐蚀后的台阶状的SiC基底，对腐蚀后的台阶状的SiC基底进行加热生长制备石墨烯，对生长的石墨烯用聚焦离子束系统的He离子刻蚀加工，利用SiC外延生长石墨烯的固有结构特性，并在生长过程中通入氩气，生成宽度较大的，相对均匀的石墨烯纳米带，再利用FIB系统中的He离子刻蚀技术的固有特性对大宽度的石墨烯纳米带进行精细加工，可在其任意区域实现线宽10 nm以下的石墨烯纳米带的精确可控制备，灵敏度更高，对比度好。
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公开(公告)号：CN103943511A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410156613.4
申请日：2014-04-18
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/66045 , H01L29/42364
Abstract: 本发明公开一种低功耗薄背栅石墨烯场效应晶体管的制备方法，在n型Si衬底的表面热生长SiO2介质层，对SiO2介质层进行光刻，显影后用反应离子刻蚀SiO2介质层，形成沟槽，转移石墨烯到刻蚀后的SiO2介质层上，形成石墨烯沟道，在石墨烯沟道表面依次溅射5nm厚的TiW合金和100nm厚的Au，再进行光刻，显影后，腐蚀TiW/Au形成线型Au连线和Au电极片，构成源极电极和漏极电极，有效地实现了低功耗、高性能的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103935956A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410148684.X
申请日：2014-04-15
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明公开一种基于针尖增强拉曼光谱的石墨烯纳米带边界修饰方法，先将边界待修饰的石墨烯纳米带转移到衬底上，使氮化硅悬臂导电探针与石墨烯纳米带接触，将加电探针直接压在石墨烯纳米带的顶端；氮化硅悬臂导电探针接上电源，通过氮化硅悬臂导电探针接与加电探针在石墨烯纳米带上施加偏压以构成回路，让电流穿过石墨烯纳米带；用氮化硅悬臂导电探针对石墨烯纳米带的边界进行扫描，控制扫描速度为10-30μm/s，边界的碳原子受到能量激发而自发进行原子重构，石墨烯边界生成晶态的原子级的石墨烯纳米带；在对石墨烯纳米带的边界进行重构的基础上不会对石墨烯纳米带引入其他缺陷，操作方便，且操作过程中便于监测。
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公开(公告)号：CN103795219B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410016971.5
申请日：2014-01-15
Applicant: 江苏大学
IPC: H02K35/02
Abstract: 本发明提供了一种发电功率可调的电磁式振动能量收集器，包括能量转换装置、导轨、质量块、驱动磁铁，所述质量块装配在导轨上，驱动磁铁固定在质量块上，能量转换装置设在质量块固定驱动磁铁的一侧，其特征在于，所述能量转换装置固定在可调平台上，所述可调平台能够调节能量转换装置与驱动磁铁之间的距离。本发明通过旋动可调平台的旋钮调节能量转换装置与被动磁铁间的距离，从而调节驱动磁铁和被动磁铁间作用力的大小，使被动磁铁的振动幅度发生变化，从而达到调节发电功率的目的。
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公开(公告)号：CN103935990A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410148721.7
申请日：2014-04-15
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明公开一种基于聚焦离子束系统的He离子刻蚀制备石墨烯纳米带方法，使用氢腐蚀平整均匀的台阶状SiC基底，获得晶面粗糙度小于0.2nm的腐蚀后的台阶状的SiC基底，对腐蚀后的台阶状的SiC基底进行加热生长制备石墨烯，对生长的石墨烯用聚焦离子束系统的He离子刻蚀加工，利用SiC外延生长石墨烯的固有结构特性，并在生长过程中通入氩气，生成宽度较大的，相对均匀的石墨烯纳米带，再利用FIB系统中的He离子刻蚀技术的固有特性对大宽度的石墨烯纳米带进行精细加工，可在其任意区域实现线宽10nm以下的石墨烯纳米带的精确可控制备，灵敏度更高，对比度好。
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公开(公告)号：CN103795219A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410016971.5
申请日：2014-01-15
Applicant: 江苏大学
IPC: H02K35/02
Abstract: 本发明提供了一种发电功率可调的电磁式振动能量收集器，包括能量转换装置、导轨、质量块、驱动磁铁，所述质量块装配在导轨上，驱动磁铁固定在质量块上，能量转换装置设在质量块固定驱动磁铁的一侧，其特征在于，所述能量转换装置固定在可调平台上，所述可调平台能够调节能量转换装置与驱动磁铁之间的距离。本发明通过旋动可调平台的旋钮调节能量转换装置与被动磁铁间的距离，从而调节驱动磁铁和被动磁铁间作用力的大小，使被动磁铁的振动幅度发生变化，从而达到调节发电功率的目的。
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公开(公告)号：CN103941174A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410156595.X
申请日：2014-04-18
Applicant: 江苏大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种判别背栅石墨烯场效应晶体管器件失效的方法，先在漏极电极和源极电极之间施加500mV的电压，在n型Si衬底和源极电极之间施加-4V~4V的栅压，得到石墨烯场效应晶体管的转移特性曲线，该转移特性曲线表现为双极性，则石墨烯场效应晶体管没有失效；再将n型Si衬底和源极电极之间的栅压从0V逐渐增加到10V，测试通过栅极的电流，最后在漏极电极和源极电极之间施加500mV的电压，在n型Si衬底和源极电极之间施加扫描电压-4V~4V，得到晶体管的转移特性曲线，表现为单向导电性，则石墨烯场效应晶体管失效；通过测试晶体管的转移特性曲线即可判别出该器件是否已经发生击穿，操作简便。
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