公开(公告)号：CN105702860A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201610201542.4

申请日：2016-03-31

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 戴培邦 ,  阳林英 ,  范丽丽 ,  罗韦春 ,  卢悦群

IPC: H01L51/00

CPC classification number: H01L51/0003 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0034

Abstract: 本发明公开了一种聚酰亚胺阻变存储器的制备方法，所述存储器由基底、底电极、聚酰亚胺功能层和顶电极构成。所述制备方法是将合成聚酰亚胺所用的二元胺和二酐单体按1：1-1.03的比例，在酰胺类溶剂中经缩合聚合得到聚酰胺酸溶液，利用旋涂法将聚酰胺酸涂于氧化铟锡玻璃上得到聚酰胺酸薄膜，随后将聚酰胺酸薄膜亚胺化形成聚酰亚胺功能层，在聚酰亚胺功能层上制备顶电极得到聚酰亚胺阻变存储器。该存储器表现出典型的电双稳态性质，具有良好的电存储性能，开关比大于105，跳变电压约为2V。