公开(公告)号：CN112671407B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202011495280.X

申请日：2020-12-17

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 段吉海 ,  周继东 ,  韦保林 ,  徐卫林 ,  韦雪明 ,  岳宏卫

IPC: H03M1/12 ,  H03M1/06 ,  H03M1/10 ,  H03K17/16 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明公开一种应用于超低功耗模数转换器的栅压自举开关电路，采用单相时钟SP，在采样时通过第一级自举电路和辅助级自举电路将采样MOS管MS的栅极电压置为Vin+2VDD，从而使得采样MOS管MS的栅极‑源极电压差在采样阶段恒定为2VDD，采样管的导通电阻进一步变小，使线性度提高，采样开关电路的精度也有所提高；基于提出的两级自举电路，采用第六NMOS管M6和第七NMOS管M7串联作为采样MOS管MS的衬底开关，当处于采样模式时，采样MOS管MS的栅极电位与衬底电位保持一致，减小采样MOS管MS的衬偏效应，降低谐波失真。

公开(公告)号：CN112671407A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011495280.X

申请日：2020-12-17

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 段吉海 ,  周继东 ,  韦保林 ,  徐卫林 ,  韦雪明 ,  岳宏卫

IPC: H03M1/12 ,  H03M1/06 ,  H03M1/10 ,  H03K17/16 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明公开一种应用于超低功耗模数转换器的栅压自举开关电路，采用单相时钟SP，在采样时通过第一级自举电路和辅助级自举电路将采样MOS管MS的栅极电压置为Vin+2VDD，从而使得采样MOS管MS的栅极‑源极电压差在采样阶段恒定为2VDD，采样管的导通电阻进一步变小，使线性度提高，采样开关电路的精度也有所提高；基于提出的两级自举电路，采用第六NMOS管M6和第七NMOS管M7串联作为采样MOS管MS的衬底开关，当处于采样模式时，采样MOS管MS的栅极电位与衬底电位保持一致，减小采样MOS管MS的衬偏效应，降低谐波失真。

公开(公告)号：CN213693674U

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202023079781.8

申请日：2020-12-17

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 段吉海 ,  周继东 ,  韦保林 ,  徐卫林 ,  韦雪明 ,  岳宏卫

IPC: H03M1/12 ,  H03M1/06 ,  H03M1/10 ,  H03K17/16 ,  H03K17/687

Abstract: 本实用新型公开一种应用于超低功耗模数转换器的栅压自举开关电路，采用单相时钟SP，在采样时通过第一级自举电路和辅助级自举电路将采样MOS管MS的栅极电压置为Vin+2VDD，从而使得采样MOS管MS的栅极‑源极电压差在采样阶段恒定为2VDD，采样管的导通电阻进一步变小，使线性度提高，采样开关电路的精度也有所提高；基于提出的两级自举电路，采用第六NMOS管M6和第七NMOS管M7串联作为采样MOS管MS的衬底开关，当处于采样模式时，采样MOS管MS的栅极电位与衬底电位保持一致，减小采样MOS管MS的衬偏效应，降低谐波失真。