公开(公告)号：CN107572827B

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201710998285.6

申请日：2017-10-20

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  姜登辉 ,  陈勇 ,  习娟 ,  夏村村 ,  崔三川 ,  刘翔宇

IPC: C03C10/02 ,  C03B19/06

Abstract: 本发明公开了一种微晶玻璃基板材料及其制备方法。所述材料的组成中至少包括了：9～10 mol%的CaO，40～42 mol%的ZnO，13～15 mol%的B2O3，35 mol%的P2O5和0～1.5mol%的TiO2。所述基板材料是一种具有低介电常数、高品质因数以及小谐振频率温度系数的微晶玻璃基板材料，其在测试频率（13‑15GHz）下的相对介电常数（Er）低至4.18‑4.76，谐振频率温度系数绝对值（Tcf）低至13‑28 ppm/oC，品质因数（Qxf）可以达到9100‑25000GHz。

公开(公告)号：CN108117262B

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201810151957.4

申请日：2018-02-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  习娟 ,  陈菁菁 ,  姜登辉 ,  周昌荣 ,  袁昌来

IPC: C03C10/02 ,  C03B11/00 ,  C03B32/02

Abstract: 本发明公开了一种超低介低烧微晶玻璃介质材料及其制备方法。所述材料的组成中至少包括了：10.0～16.0wt%的CuO，16.0～22.0wt%的ZnO，62.0wt%的B2O3，5.0wt%的Li2O，0.5wt%CeO2和0.5wt%Ga2O3。所述介质材料是一种具有超低介电常数、高品质因数以及近零谐振频率温度系数的微晶玻璃介质材料，其在测试频率（～16 GHz）下的相对介电常数（Er）低至2.60‑3.11，谐振频率温度系数绝对值（Tcf）低至0 ppm/oC附近，品质因数（Qxf）可以达到5100‑9145 GHz。

公开(公告)号：CN108191246B

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201810151932.4

申请日：2018-02-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  习娟 ,  陈菁菁 ,  姜登辉 ,  周昌荣 ,  袁昌来

IPC: C03C10/00 ,  C03C6/00 ,  C03B19/06

Abstract: 本发明公开了一种低介低烧基板材料及其制备方法。所述材料的组成中至少包括了：7.0～9.0 mol%的MgO，43.0～45.0 mol%的ZnO，13.0～15.0 mol%的B2O3，34.0 mol%的P2O5，0.5～1.0mol%Ga2O3和0.5mol%Sc2O3。所述基板材料是一种具有超低介电常数、高品质因数以及小谐振频率温度系数的微晶玻璃基板材料，其在测试频率（15‑16 GHz）下的相对介电常数（Er）低至3.02‑3.15，谐振频率温度系数绝对值（Tcf）低至57‑70 ppm/oC，品质因数（Qxf）可以达到11500‑14000GHz。

公开(公告)号：CN107572827A

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201710998285.6

申请日：2017-10-20

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  姜登辉 ,  陈勇 ,  习娟 ,  夏村村 ,  崔三川 ,  刘翔宇

IPC: C03C10/02 ,  C03B19/06

Abstract: 本发明公开了一种微晶玻璃基板材料及其制备方法。所述材料的组成中至少包括了：9～10 mol%的CaO，40～42 mol%的ZnO，13～15 mol%的B2O3，35 mol%的P2O5和0～1.5mol%的TiO2。所述基板材料是一种具有低介电常数、高品质因数以及小谐振频率温度系数的微晶玻璃基板材料，其在测试频率（13-15GHz）下的相对介电常数（Er）低至4.18-4.76，谐振频率温度系数绝对值（Tcf）低至13-28 ppm/oC，品质因数（Qxf）可以达到9100-25000GHz。

公开(公告)号：CN108191246A

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201810151932.4

申请日：2018-02-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  习娟 ,  陈菁菁 ,  姜登辉 ,  周昌荣 ,  袁昌来

IPC: C03C10/00 ,  C03C6/00 ,  C03B19/06

Abstract: 本发明公开了一种低介低烧基板材料及其制备方法。所述材料的组成中至少包括了：7.0～9.0 mol%的MgO，43.0～45.0 mol%的ZnO，13.0～15.0 mol%的B2O3，34.0 mol%的P2O5，0.5～1.0mol%Ga2O3和0.5mol%Sc2O3。所述基板材料是一种具有超低介电常数、高品质因数以及小谐振频率温度系数的微晶玻璃基板材料，其在测试频率（15-16 GHz）下的相对介电常数（Er）低至3.02-3.15，谐振频率温度系数绝对值（Tcf）低至57-70 ppm/oC，品质因数（Qxf）可以达到11500-14000GHz。

公开(公告)号：CN108117262A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201810151957.4

申请日：2018-02-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  习娟 ,  陈菁菁 ,  姜登辉 ,  周昌荣 ,  袁昌来

IPC: C03C10/02 ,  C03B11/00 ,  C03B32/02

Abstract: 本发明公开了一种超低介低烧微晶玻璃介质材料及其制备方法。所述材料的组成中至少包括了：10.0～16.0wt%的CuO，16.0～22.0wt%的ZnO，62.0wt%的B2O3，5.0wt%的Li2O，0.5wt% CeO2和0.5wt%Ga2O3。所述介质材料是一种具有超低介电常数、高品质因数以及近零谐振频率温度系数的微晶玻璃介质材料，其在测试频率（～16 GHz）下的相对介电常数（Er）低至2.60-3.11，谐振频率温度系数绝对值（Tcf）低至0 ppm/oC附近，品质因数（Qxf）可以达到5100-9145 GHz。