公开(公告)号：CN1968897A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200580019981.3

申请日：2005-06-16

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 赤堀晶二 ,  中川创太 ,  堀江拓生

IPC: C02F1/461 ,  C25C1/12 ,  C25C7/02 ,  C25C7/04 ,  C25C7/08

CPC classification number: B01D61/44 ,  B01D61/46 ,  B01D63/16 ,  B01D2325/14 ,  C02F1/4678 ,  C02F2001/46123 ,  C02F2001/46133 ,  C02F2101/20 ,  C02F2103/346 ,  C02F2201/46115 ,  C02F2201/4619

Abstract: 本发明提供一种电沉积处理装置及方法，其可以将由电沉积产生的处理液中的金属离子浓度降低到能够向外部排放的水平，而且由半导体制造装置产生的废水量即使较多，也能够进行处理。电沉积处理装置具有：阴极(3)，其使被处理水中的金属离子以金属的形态析出；阳离子交换膜(4)，其与阴极(3)相向配置；以及阳极(6)，其通过介入阳离子交换体(5)而被设置为与该阳离子交换膜(4)相对置；其中，将被处理水供给至在阴极(3)和阳离子交换膜(4)之间的空间内。