-
公开(公告)号：CN102097584B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201010522973.3
申请日：2010-10-26
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G01R33/095 , G11B5/3993 , H01L43/12
Abstract: 磁阻器件包括：晶片(4，64)；细长的半导体沟道(11)，在第一方向(14)延伸；以及至少两根导线(26)，提供与沟道的一组触点(27)。器件可以包括与沟道接触的可选的半导体分流器(8)。可选的分流器、沟道和触点组在垂直于第一方向和衬底的表面的第二方向(15)上相对于衬底堆叠。器件具有沿着沟道行进的侧面(30)。器件响应于通常垂直于侧面的磁场(31)。
-
公开(公告)号：CN100559483C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200510051343.1
申请日：2005-03-04
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/127 , G11B5/3909 , G11B5/746 , G11B9/1418 , G11B2005/001 , G11B2005/0021 , G11B2005/3996
Abstract: 本发明涉及一种在记录媒体中进行磁化信息的写入以及读出的方法，以及一种磁性记录再生装置。形成包含磁性金属层1/非磁性金属层2/磁性金属层3的至少3层的薄膜结构，将金属探针5与此多层膜表面接近到纳米数量级的距离。通过在金属探针5与多层膜41的表面之间施加电压，使在多层膜中生成的量子阱状态变化，并使磁性金属层1、3之间的相对的磁化变化。此时，在写入磁化方向上施加辅助磁场11。
-
公开(公告)号：CN1741158A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510051343.1
申请日：2005-03-04
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/127 , G11B5/3909 , G11B5/746 , G11B9/1418 , G11B2005/001 , G11B2005/0021 , G11B2005/3996
Abstract: 本发明涉及一种在记录媒体中进行磁化信息的写入以及读出的方法，以及一种磁性记录再生装置。形成包含磁性金属层1/非磁性金属层2/磁性金属层3的至少3层的薄膜结构，将金属探针5与此多层膜表面接近到纳米数量级的距离。通过在金属探针5与多层膜41的表面之间施加电压，使在多层膜中生成的量子阱状态变化，并使磁性金属层1、3之间的相对的磁化变化。此时，在写入磁化方向上施加辅助磁场11。
-
公开(公告)号：CN102097584A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010522973.3
申请日：2010-10-26
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G01R33/095 , G11B5/3993 , H01L43/12
Abstract: 磁阻器件包括：晶片(4，64)；细长的半导体沟道(11)，在第一方向(14)延伸；以及至少两根导线(26)，提供与沟道的一组触点(27)。器件可以包括与沟道接触的可选的半导体分流器(8)。可选的分流器、沟道和触点组在垂直于第一方向和衬底的表面的第二方向(15)上相对于衬底堆叠。器件具有沿着沟道行进的侧面(30)。器件响应于通常垂直于侧面的磁场(31)。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.017 seconds)
