TFT基板及TFT基板的制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116259632A

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202211533358.1

    申请日:2022-11-30

    Abstract: 本发明涉及TFT基板和TFT基板的制造方法。本发明提供能抑制使用了氧化物半导体的薄膜晶体管的特性偏差的TFT基板及TFT基板的制造方法。TFT基板具有:基板;设于基板之上、并包含氧化物半导体层的多个晶体管;与多个晶体管的栅极电连接、并在第1方向上延伸的多条扫描线;与多个晶体管的氧化物半导体层电连接、并在与第1方向交叉的第2方向上延伸的多条信号线;绝缘膜,其覆盖多条信号线及氧化物半导体层;和连接布线,其设于绝缘膜之上,至少1条信号线隔着狭缝而在第2方向上分离,连接布线将隔着狭缝而在第2方向上相邻的一个信号线与另一信号线电连接。

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