公开(公告)号：CN109478495A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780044382.X

申请日：2017-07-13

Applicant: 株式会社希克斯

Inventor： 今冈功 ,  村崎孝则 ,  下俊久 ,  内田英次 ,  南章行

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种贴合半导体基板，能够降低界面电阻。半导体基板具备单晶SiC基板和多晶SiC基板。单晶SiC基板与多晶SiC基板接合。单晶SiC基板与多晶SiC基板的接合区域含有1×1021(atoms/cm3)以上的特定原子。

公开(公告)号：CN109478495B

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN201780044382.X

申请日：2017-07-13

Applicant: 株式会社希克斯

Inventor： 今冈功 ,  村崎孝则 ,  下俊久 ,  内田英次 ,  南章行

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种贴合半导体基板，能够降低界面电阻。半导体基板具备单晶SiC基板和多晶SiC基板。单晶SiC基板与多晶SiC基板接合。单晶SiC基板与多晶SiC基板的接合区域含有1×1021(atoms/cm3)以上的特定原子。