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发明公开
半导体装置无效

公开(公告)号：CN114171576A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202110207930.4

申请日：2021-02-24

Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 田近拓巳 , 大田浩史 , 新田峻介

IPC: H01L29/06 , H01L23/31

Abstract: 实施方式提供提高了树脂密封的气密性的半导体装置。半导体装置具备半导体元件和树脂。半导体元件包括半导体部、第一电极和第二电极。所述半导体部具有背面、与所述背面相反侧的表面、以及将所述背面与所述表面连接的侧面，所述第一电极设置于所述半导体部的所述背面上，所述第二电极设置于所述半导体部的所述表面上。所述半导体元件在所述侧面具有包围所述半导体部的槽。所述树脂对所述半导体元件进行气密密封并包括被填充于所述槽的内部的部分。

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