公开(公告)号：CN102549724B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN200980161197.4

申请日：2009-09-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宇井明生 ,  林久贵 ,  菊谷圭介

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32174

Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，其包括：腔室；配置于所述腔室内的第一电极；在所述腔室内与所述第一电极相对配置、保持基板的第二电极；对所述第二电极施加50MHz以上的频率的RF电压的RF电源；脉冲电源，该脉冲电源对所述第二电极反复施加与所述RF电压重叠的、包含负电压脉冲和从该负电压脉冲起延迟时间为50n秒以下的正电压脉冲的电压波形。

公开(公告)号：CN102549724A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200980161197.4

申请日：2009-09-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宇井明生 ,  林久贵 ,  菊谷圭介

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32174

Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，其包括：腔室；配置于所述腔室内的第一电极；在所述腔室内与所述第一电极相对配置、保持基板的第二电极；对所述第二电极施加50MHz以上的频率的RF电压的RF电源；脉冲电源，该脉冲电源对所述第二电极反复施加与所述RF电压重叠的、包含负电压脉冲和从该负电压脉冲起延迟时间为50n秒以下的正电压脉冲的电压波形。