公开(公告)号：CN104064672A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201310406691.0

申请日：2013-09-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 石川贵之 ,  藤井章辅 ,  宫川英典 ,  田中洋毅 ,  斋藤真澄

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/148 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266

Abstract: 根据实施例的电阻型随机存取存储装置包括第一电极、第二电极以及被置于所述第一电极与第二电极之间的可变电阻部分。该可变电阻部分包括第一绝缘层、第二绝缘层，以及晶层，所述晶层被置于所述第一绝缘层和第二绝缘层之间，具有高于第一电极的电阻率、并且是结晶体。