公开(公告)号：CN1148774C

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN00107058.4

申请日：2000-04-24

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 渡部祥文 ,  近藤行廣 ,  相澤浩一 ,  菰田卓哉 ,  本多由明 ,  幡井崇 ,  櫟原勉 ,  越田信義

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J1/312 ,  H01J9/025

Abstract: 本发明揭示一种场致发射型电子源及其制造方法。场致发射型电子源(10)具有导电性基板(1)、在导电性基板(1)的一个表面上形成的至少一部分进行多孔化处理的半导体层(6)、以及在半导体层上形成的导电性薄膜(7)。通过加上导电性薄膜(7)相对于导电性基板(1)为正的电压，注入导电性基板(1)的电子通过半导体层从导电性薄膜(7)发射。半导体层包含柱状结构部分(21)和平均尺寸在2μm以下的多孔结构部分(25)混合存在的多孔半导体层(6)。

公开(公告)号：CN1182561C

公开(公告)日：2004-12-29

申请号：CN99120728.9

申请日：1999-09-24

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 菰田卓哉 ,  櫟原勉 ,  相泽浩一 ,  越田信义

IPC: H01J1/32 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/3125 ,  Y10S977/939

Abstract: 一种场致发射型电子源及其制造方法，该场致发射型电子源具有导电性基板；在导电性基板一表面侧形成的强电场漂移层；在该强电场漂移层上形成导电性薄膜构成的表面电极，表面电极相对于导电性基板作为正极，通过施加电压从导电性基板注入的电子在强电场漂移层漂移，经表面电极进行发射，所述强电场漂移层至少包含：基本上垂直于导电性基板主表面排列的柱状第1半导体单元；介于所述第1半导体单元间纳米级的、由半导体微结晶单元构成的第2半导体单元；形成在所述第2半导体单元表面、膜厚比所述第2半导体单元的结晶粒径小的绝缘膜。

公开(公告)号：CN1271958A

公开(公告)日：2000-11-01

申请号：CN00107058.4

申请日：2000-04-24

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 渡部祥文 ,  近藤行廣 ,  相澤浩一 ,  菰田卓哉 ,  本多由明 ,  幡井崇 ,  櫟原勉 ,  越田信義

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J1/312 ,  H01J9/025

Abstract: 本发明揭示一种场致发射型电子源及其制造方法。场致发射型电子源10具有导电性基板1、在导电性基板1的一个表面上形成的至少一部分进行多孔化处理的半导体层6、以及在半导体层上形成的导电性薄膜7。通过加上导电性薄膜7相对于导电性基板1为正的电压,注入导电性基板1的电子通过半导体层从导电性薄膜7发射。半导体层包含柱状结构部分21和平均尺寸在2μm以下的多孔结构部分25混合存在的多孔半导体层6。