公开(公告)号：CN104334752A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201280073433.9

申请日：2012-05-23

Applicant: 杰富意钢铁株式会社

Inventor： 山口裕弘 ,  本田充孝 ,  西山直树 ,  中田时夫

IPC: C21D1/76 ,  C22C38/00 ,  C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/20 ,  C22C38/22 ,  C22C38/26

CPC classification number: H01L31/022441 ,  C21D1/30 ,  C21D1/76 ,  C22C38/004 ,  C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/18 ,  C22C38/20 ,  C22C38/22 ,  C22C38/26 ,  C23C16/305 ,  C23C16/56 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/03928 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521 ,  C22C38/00 ,  C22C38/54 ,  H01L31/03923

Abstract: 本发明提供防止作为光吸收层的Cu(In1-XGaX)Se2的被膜的剥离的不锈钢箔制太阳电池基板材料及其制造方法。具体而言，在选自N2气、H2气、Ar气、AX气及HN气中的一种的气氛中或两种以上混合而成的气氛中且在250～1050℃的范围内，对含有7～40质量％的Cr、0～100℃下的线膨胀系数为12.0×10-6/℃以下、厚度为20～200μm的不锈钢箔实施用于除去应力的预热处理，进而，在实施了该预热处理的不锈钢箔的表面形成由Mo层构成的背面电极后，或者在不锈钢箔的表面形成绝缘被膜、进而在其上形成由Mo层构成的背面电极后，实施被膜形成热处理，在背面电极上形成由Cu(In1-XGaX)Se2构成的光吸收层。

公开(公告)号：CN104334752B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201280073433.9

申请日：2012-05-23

Applicant: 杰富意钢铁株式会社

Inventor： 山口裕弘 ,  本田充孝 ,  西山直树 ,  中田时夫

IPC: C21D1/76 ,  C22C38/00 ,  C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/20 ,  C22C38/22 ,  C22C38/26

CPC classification number: H01L31/022441 ,  C21D1/30 ,  C21D1/76 ,  C22C38/004 ,  C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/18 ,  C22C38/20 ,  C22C38/22 ,  C22C38/26 ,  C23C16/305 ,  C23C16/56 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/03928 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供防止作为光吸收层的Cu(In1‑XGaX)Se2的被膜的剥离的不锈钢箔制太阳电池基板材料及其制造方法。具体而言，在选自N2气、H2气、Ar气、AX气及HN气中的一种的气氛中或两种以上混合而成的气氛中且在250～1050℃的范围内，对含有7～40质量％的Cr、0～100℃下的线膨胀系数为12.0×10‑6/℃以下、厚度为20～200μm的不锈钢箔实施用于除去应力的预热处理，进而，在实施了该预热处理的不锈钢箔的表面形成由Mo层构成的背面电极后，或者在不锈钢箔的表面形成绝缘被膜、进而在其上形成由Mo层构成的背面电极后，实施被膜形成热处理，在背面电极上形成由Cu(In1‑XGaX)Se2构成的光吸收层。