公开(公告)号：CN114975500A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210654541.0

申请日：2022-06-10

Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司

Inventor： 祁春超 ,  孙鹏飞 ,  王保宁

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种像素单元、图像传感器、摄像头组件和电子设备，涉及图像传感器的技术领域，解决相关技术中像素单元对于波长较长的入射光的吸收率较低，相邻两个像素单元之间容易发生光串扰的技术问题。像素单元包括半导体衬底、光敏元件和金属布线层。金属布线层设置于半导体衬底远离光敏元件的受光面的一侧。金属布线层包括层间介质、多层金属布线和调光结构。多层金属布线嵌入于层间介质内，且与光敏元件电连接。调光结构嵌入于层间介质内。调光结构在半导体衬底上的垂直投影，与光敏元件在半导体衬底上垂直投影的至少部分重叠。调光结构用于将至少部分照射至调光结构的光线聚拢至光敏元件。本发明提供的像素单元用于将光信号转换为电信号。

公开(公告)号：CN217588937U

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202221460746.7

申请日：2022-06-10

Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司

Inventor： 祁春超 ,  孙鹏飞 ,  王保宁

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/378 ,  H04N5/225

Abstract: 本实用新型公开了一种像素单元、图像传感器、摄像头组件和电子设备，涉及图像传感器的技术领域，解决相关技术中像素单元对于波长较长的入射光的吸收率较低，并且相邻两个像素单元之间容易发生光串扰的技术问题。像素单元包括光电二极管，光电二极管具有受光面。电路结构层设置在半导体衬底远离受光面的一侧。电路结构层包括嵌入在层间介质中的多层金属布线和一个聚光结构。多层金属布线与光电二极管电连接。聚光结构在半导体衬底上的垂直投影与光电二极管在半导体衬底上垂直投影的至少部分重叠。至少部分聚光结构的光折射率大于层间介质的光折射率，并且不大于半导体衬底的光折射率。本实用新型提供的像素单元用于将光信号转换为电信号。