公开(公告)号：CN109932337B

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN201711370681.0

申请日：2017-12-18

申请人： 有研半导体硅材料股份公司

发明人： 徐继平 ,  鲁进军 ,  宁永铎 ,  刘斌 ,  曲翔 ,  刘浩懿 ,  史训达 ,  张亮

IPC分类号： G01N21/41 ,  G01N27/00

摘要： 本发明公开了一种用于评价硅基背封膜致密性的装置和方法。该装置包括：24V电源、漏点检测槽、检测电解质、检测电极和矩形连接电极；其中，24V电源的正极和负极分别通过导线与检测电极和矩形连接电极相连接；检测电极和矩形连接电极置于漏点检测槽中，硅基背封膜待测样品的正面与矩形连接电极相连；检测电极位于硅基背封膜待测样品上方。方法包括：(1)测试待测样品背封膜的折射率；(2)将样品正面薄膜去除，与矩形电极相连；(3)将连接好电极的样品平放于电解质中；(4)打开电源，用检测电极检漏；(5)测试整个面的漏点数；(6)测试漏电和良率。本发明不受制备工艺限制，应用广泛，填补了硅基二氧化硅背封膜致密性检测的空白。