公开(公告)号：CN116770242B

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202310568969.8

申请日：2023-05-19

Applicant: 暨南大学

Inventor： 林怀俊 ,  简希颖 ,  张鹏 ,  李卫

IPC: C23C14/35 ,  C25B1/04 ,  C25B11/052 ,  C25B11/089 ,  C23C14/16 ,  C22C45/00 ,  C22C45/10

Abstract: 本发明公开了一种用于电解水制氢的非晶态铜钨合金及其制备方法，通过铜靶与钨靶磁控共溅射的方法，可获得厚度约1μm至50μm的非晶态铜钨合金薄膜。本发明制备方法与常规方法相比，工艺过程简单，适用于二元及多元铜钨合金的大规模制备。本发明所制备的非晶态铜钨合金具有优异的电催化析氢性能，在10mA cm‑2的电流密度下只有65mV的过电位，在燃料电池、电解水制氢领域具有良好应用前景。

公开(公告)号：CN116770242A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310568969.8

申请日：2023-05-19

Applicant: 暨南大学

Inventor： 林怀俊 ,  简希颖 ,  张鹏 ,  李卫

IPC: C23C14/35 ,  C25B1/04 ,  C25B11/052 ,  C25B11/089 ,  C23C14/16 ,  C22C45/00 ,  C22C45/10

Abstract: 本发明公开了一种用于电解水制氢的非晶态铜钨合金及其制备方法，通过铜靶与钨靶磁控共溅射的方法，可获得厚度约1μm至50μm的非晶态铜钨合金薄膜。本发明制备方法与常规方法相比，工艺过程简单，适用于二元及多元铜钨合金的大规模制备。本发明所制备的非晶态铜钨合金具有优异的电催化析氢性能，在10mA cm‑2的电流密度下只有65mV的过电位，在燃料电池、电解水制氢领域具有良好应用前景。