公开(公告)号：CN1955110A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610037581.1

申请日：2006-09-07

Applicant: 暨南大学

Inventor： 谷云乐 ,  刘应亮 ,  曾文 ,  徐子林

IPC: C01B21/068 ,  B82B3/00 ,  C04B35/584

Abstract: 本发明公开了一种低温制备氮化硅纳米线和纳米带粉体材料的方法，以SiCl4、NaN3和金属钠为原料，调控反应物配比，在400－500℃下反应，产物经过洗涤、过滤和干燥，即可分别得到氮化硅(Si3N4)纳米线和纳米带粉体材料。产物主要是β－Si3N4，含少量α－Si3N4，相对于SiCl4总产率90％以上。副产物为NaCl和少量氮气。氮化硅纳米线平均直径30nm，氮化硅纳米带宽40－80nm，厚度不超过20nm，平均长度约为500nm。本发明反应操作简单、安全，产物纯净，收率高。

公开(公告)号：CN100445199C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200610037581.1

申请日：2006-09-07

Applicant: 暨南大学

Inventor： 谷云乐 ,  刘应亮 ,  曾文 ,  徐子林

IPC: C01B21/068 ,  B82B3/00 ,  C04B35/584

Abstract: 本发明公开了一种低温制备氮化硅纳米线和纳米带粉体材料的方法，以SiCl4、NaN3和金属钠为原料，调控反应物配比，在400-500℃下反应，产物经过洗涤、过滤和干燥，即可分别得到氮化硅(Si3N4)纳米线和纳米带粉体材料。产物主要是β-Si3N4，含少量α-Si3N4，相对于SiCl4总产率90%以上。副产物为NaCl和少量氮气。氮化硅纳米线平均直径30nm，氮化硅纳米带宽40-80nm，厚度不超过20nm，平均长度约为500nm。本发明反应操作简单、安全，产物纯净，收率高。