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公开(公告)号：CN101740232A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN201010112811.2
申请日：2010-02-09
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种室温下超级电容器棒状Bi2O3电极材料的制备方法。该方法包括步骤：(1)将表面活性剂Pluronic P123溶于乙醇中，形成浓度为0.01～0.02M的溶液；(2)向步骤(1)所得溶液中按体积比为1∶1～1∶1.5加入浓度为0.01M～0.1M的硝酸铋溶液，搅拌，静置；(3)加入沉淀剂至pH为10～14，得到沉淀；将沉淀离心，干燥后得到棒状Bi2O3电极材料。本发明的制备过程在室温下进行，工艺简单，不需要加热及复杂的设备，得到的棒状Bi2O3材料可提供大的法拉第赝电容，比电容高，大电流充放电稳定性好，可应用在需要碱性电解液、高稳定性、高能量密度、快速充放电电源场合。
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公开(公告)号：CN101740233A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN201010112798.0
申请日：2010-02-09
Applicant: 暨南大学
IPC: H01G9/058
Abstract: 本发明公开了一种蠕虫状介孔炭/Bi2O3复合电极材料及其制备方法和应用。该方法包括步骤：(1)采用高温煅烧法制备蠕虫状介孔炭材料；(2)以蠕虫状介孔炭材料为体材料，将体材料浸渍在0.1～1mol·L-1硝酸铋溶液中，搅拌、抽滤并干燥后得到黑色粉末；(3)将黑色粉末置于微波炉中进行微波短时高能辐射即得到蠕虫状介孔炭/Bi2O3复合材料。本发明制备工艺快速，不需要复杂的合成设备，合成的炭材料具有高比表面，表面含有丰富的官能团。得到的介孔炭/Bi2O3复合材料中氧化铋分布较均一，比电容高、循环稳定性好；在碱性KOH溶液中有高的比能量和稳定的工作窗口。
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公开(公告)号：CN101880058B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201010181326.0
申请日：2010-05-18
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种低温水热合成纳米带状V2O5的方法。该方法包括步骤：(1)将表面活性剂溶于二次去离子水中，得到浓度为0.001～0.01M的溶液1；(2)将NH4VO3溶于溶液1中，搅拌至溶解，得到浓度为14.2mM～428mM的溶液2；(3)将还原剂按体积比1∶5～1∶10加入溶液2中，搅拌，转入聚四氟乙烯的内衬反应釜中，在160℃～180℃条件下进行水热反应12～24h，干燥，得到NH4V4O10沉淀；(4)将干燥后的沉淀于300℃～500℃下热处理1～3h，得纳米带状V2O5。该纳米带状V2O5可应用于制备传感器、自旋电子器件、纳米光刻模板或高容量电极材料。
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公开(公告)号：CN101880058A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010181326.0
申请日：2010-05-18
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种低温水热合成纳米带状V2O5的方法。该方法包括步骤：(1)将表面活性剂溶于二次去离子水中，得到浓度为0.001～0.01M的溶液1；(2)将NH4VO3溶于溶液1中，搅拌至溶解，得到浓度为14.2mM～428mM的溶液2；(3)将还原剂按体积比1∶5～1∶10加入溶液2中，搅拌，转入聚四氟乙烯的内衬反应釜中，在160℃～180℃条件下进行水热反应12～24h，干燥，得到NH4V4O10沉淀；(4)将干燥后的沉淀于300℃～500℃下热处理1～3h，得纳米带状V2O5。该纳米带状V2O5可应用于制备传感器、自旋电子器件、纳米光刻模板或高容量电极材料。
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公开(公告)号：CN101740233B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010112798.0
申请日：2010-02-09
Applicant: 暨南大学
IPC: H01G9/058
Abstract: 本发明公开了一种蠕虫状介孔炭/Bi2O3复合电极材料及其制备方法和应用。该方法包括步骤：(1)采用高温煅烧法制备蠕虫状介孔炭材料；(2)以蠕虫状介孔炭材料为体材料，将体材料浸渍在0.1～1mol·L-1硝酸铋溶液中，搅拌、抽滤并干燥后得到黑色粉末；(3)将黑色粉末置于微波炉中进行微波短时高能辐射即得到蠕虫状介孔炭/Bi2O3复合材料。本发明制备工艺快速，不需要复杂的合成设备，合成的炭材料具有高比表面，表面含有丰富的官能团。得到的介孔炭/Bi2O3复合材料中氧化铋分布较均一，比电容高、循环稳定性好；在碱性KOH溶液中有高的比能量和稳定的工作窗口。
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