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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101681962A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880016399.5
申请日：2008-05-13
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 保科孝治
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/54 , H01L33/486 , H01L2224/32257 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/01322 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体发光装置。本发明的目的在于提供减少发光元件的光自吸收、并具有优良的出光效率的发光装置。本发明的发光装置的特征在于包括：基板；夹着或未夹着载体而设置于所述基板上的半导体发光元件；和封装所述半导体发光元件的封装结构体；其中，所述封装结构体具有与所述半导体发光元件的底面平行的底面，所述封装结构体的侧面相对于底面倾斜。
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公开(公告)号：CN101681962B
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN200880016399.5
申请日：2008-05-13
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 保科孝治
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/54 , H01L33/486 , H01L2224/32257 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/01322 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体发光装置。本发明的目的在于提供减少发光元件的光自吸收、并具有优良的出光效率的发光装置。本发明的发光装置的特征在于包括：基板；夹着或未夹着载体而设置于所述基板上的半导体发光元件；和封装所述半导体发光元件的封装结构体；其中，所述封装结构体具有与所述半导体发光元件的底面平行的底面，所述封装结构体的侧面相对于底面倾斜。
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公开(公告)号：CN111512481A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201880083114.3
申请日：2018-12-14
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供能够使电池特性提高的电极和使用该电极的氧化还原液流电池。本发明的氧化还原液流电池，具备电解液流入的液体流入层(1)、电解液流出的液体流出层(3)、以及配置在所述液体流入层(1)与所述液体流出层(3)之间的主电极层(2)，所述液体流出层(3)的厚度小于所述液体流入层(1)的厚度。
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公开(公告)号：CN101379624B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200780004133.4
申请日：2007-02-05
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 保科孝治
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/54 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的目的为提供一种发光装置，由于减小了对来自所述发光装置的光的自吸收，所以所述发光装置具有良好的光提取效率。本发明的发光装置包括板、在所述板上可选地通过载体形成的半导体发光元件、密封所述半导体发光元件的帽以及围绕所述帽设置的反射镜，其中所述帽具有平行于所述半导体发光元件的顶表面的顶表面和底表面，并且所述顶表面与所述底表面之间的间隔是所述半导体发光元件的最长的对角线或直径的1-3倍。
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公开(公告)号：CN101379624A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200780004133.4
申请日：2007-02-05
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 保科孝治
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/54 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的目的为提供一种发光装置，由于减小了对来自所述发光装置的光的自吸收，所以所述发光装置具有良好的光提取效率。本发明的发光装置包括板、在所述板上可选地通过载体形成的半导体发光元件、密封所述半导体发光元件的帽以及围绕所述帽设置的反射镜，其中所述帽具有平行于所述半导体发光元件的顶表面的顶表面和底表面，并且所述顶表面与所述底表面之间的间隔是所述半导体发光元件的最长的对角线或直径的1－3倍。
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