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公开(公告)号:CN103257325A
公开(公告)日:2013-08-21
申请号:CN201310175595.X
申请日:2008-03-21
Applicant: 旭化成微电子株式会社
CPC classification number: G01R33/07 , G01R33/0206 , G01R35/005
Abstract: 本发明涉及在设有多个霍尔元件的半导体基板上设置了磁性体的具有灵敏度测量功能的磁传感器及其灵敏度测量方法。由磁感应部(31)检测的磁通密度被切换部(32)提取各轴的磁场强度信息,通过放大部(33)被输入到灵敏度运算部(34)。灵敏度运算部(34)根据来自磁感应部(31)的与各轴相关的磁场强度信息来运算灵敏度。灵敏度运算部具备:轴成分分解部(34a),将来自磁感应部(31)的磁通密度分解为各轴的磁成分;灵敏度判断部(34b),将来自轴成分分解部(34a)的磁场强度的各轴成分与基准值进行比较来判断灵敏度;以及灵敏度校正部(34c),根据来自灵敏度判断部(34b)的灵敏度信息进行灵敏度校正。
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公开(公告)号:CN104303066B
公开(公告)日:2016-12-21
申请号:CN201480000756.4
申请日:2014-03-24
Applicant: 旭化成微电子株式会社
CPC classification number: G01R33/0206 , G01R33/09 , G01R33/093 , G01R33/096 , G01R33/098 , H01L43/08
Abstract: 本发明涉及一种至少将与基板垂直的磁场和与基板平行的磁场进行混合并能够以可将各磁场分量分离的状态检测各磁场分量的磁传感器及其磁检测方法。磁传感器的一个实施方式为对正交的3轴磁场进行检测的磁传感器,该磁传感器具备:磁检测部(50a或者50b),其具有对第一方向的磁场分量进行检测的磁感应构件;以及磁场方向变换部(60a、60b),其将与第一方向正交的第二方向的磁场分量以及与第一和第二方向均正交的第三方向的磁场分量变换为第一方向的磁场分量。
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公开(公告)号:CN105929345A
公开(公告)日:2016-09-07
申请号:CN201610532906.7
申请日:2014-03-24
Applicant: 旭化成微电子株式会社
CPC classification number: G01R33/0206 , G01R33/09 , G01R33/093 , G01R33/096 , G01R33/098 , H01L43/08
Abstract: 本发明涉及磁传感器及其磁检测方法。该磁传感器对2轴方向或者3轴方向的磁进行检测,其具备配置图案,该配置图案由相对于基板平面分别平行地配置的三个以上的磁检测部以及相对于基板平面分别平行地配置的第一聚磁部至第三聚磁部构成,第一聚磁部至第三聚磁部配置成在沿第二聚磁部的长边方向输入磁场时,从第二聚磁部至第一聚磁部形成磁通分量的磁路以及从第二聚磁部至第三聚磁部形成磁通分量的磁路,三个以上的磁检测部具备一方的磁检测部群和另一方的磁检测部群,一方的磁检测部群配置在第二聚磁部与第一聚磁部之间,另一方的磁检测部群配置在第二聚磁部与第三聚磁部之间。该磁传感器能够以可将各磁场分量分离的状态检测各磁场分量。
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公开(公告)号:CN104303066A
公开(公告)日:2015-01-21
申请号:CN201480000756.4
申请日:2014-03-24
Applicant: 旭化成微电子株式会社
CPC classification number: G01R33/0206 , G01R33/09 , G01R33/093 , G01R33/096 , G01R33/098 , H01L43/08
Abstract: 本发明涉及一种至少将与基板垂直的磁场和与基板平行的磁场进行混合并能够以可将各磁场分量分离的状态检测各磁场分量的磁传感器及其磁检测方法。磁传感器的一个实施方式为对正交的3轴磁场进行检测的磁传感器,该磁传感器具备:磁检测部(50a或者50b),其具有对第一方向的磁场分量进行检测的磁感应构件;以及磁场方向变换部(60a、60b),其将与第一方向正交的第二方向的磁场分量以及与第一和第二方向均正交的第三方向的磁场分量变换为第一方向的磁场分量。
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公开(公告)号:CN101641609A
公开(公告)日:2010-02-03
申请号:CN200880009567.8
申请日:2008-03-21
Applicant: 旭化成微电子株式会社
CPC classification number: G01R33/07 , G01R33/0206 , G01R35/005
Abstract: 本发明涉及一种在设有多个霍尔元件的半导体基板上设置了磁性体的具有灵敏度测量功能的磁传感器和灵敏度测量装置及其方法。由磁感应部(31)检测的磁通密度被切换部(32)提取各轴的磁场强度信息,通过放大部(33)被输入到灵敏度运算部(34)。灵敏度运算部(34)根据来自磁感应部(31)的与各轴相关的磁场强度信息来运算灵敏度。灵敏度运算部具备:轴成分分解部(34a),其将来自磁感应部(31)的磁通密度分解为各轴的磁成分;灵敏度判断部(34b),其将来自轴成分分解部(34a)的磁场强度的各轴成分与基准值进行比较来判断灵敏度;以及灵敏度校正部(34c),其根据来自灵敏度判断部(34b)的灵敏度信息进行灵敏度校正。传感器诊断部(39)根据灵敏度信息自诊断磁传感器的灵敏度是否良好并进行灵敏度自校正(调整)。
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公开(公告)号:CN105589050B
公开(公告)日:2019-08-20
申请号:CN201510959122.8
申请日:2008-03-21
Applicant: 旭化成微电子株式会社
IPC: G01R33/07
Abstract: 本发明涉及磁传感器。由磁感应部(31)检测的磁通密度被切换部(32)提取各轴的磁场强度信息,通过放大部(33)被输入到灵敏度运算部(34)。灵敏度运算部(34)根据来自磁感应部(31)的与各轴相关的磁场强度信息来运算灵敏度。灵敏度运算部具备:轴成分分解部(34a),将来自磁感应部(31)的磁通密度分解为各轴的磁成分;灵敏度判断部(34b),将来自轴成分分解部(34a)的磁场强度的各轴成分与基准值进行比较来判断灵敏度;以及灵敏度校正部(34c),根据来自灵敏度判断部(34b)的灵敏度信息进行灵敏度校正。
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公开(公告)号:CN105589050A
公开(公告)日:2016-05-18
申请号:CN201510959122.8
申请日:2008-03-21
Applicant: 旭化成微电子株式会社
IPC: G01R33/07
Abstract: 本发明涉及磁传感器。由磁感应部(31)检测的磁通密度被切换部(32)提取各轴的磁场强度信息,通过放大部(33)被输入到灵敏度运算部(34)。灵敏度运算部(34)根据来自磁感应部(31)的与各轴相关的磁场强度信息来运算灵敏度。灵敏度运算部具备:轴成分分解部(34a),将来自磁感应部(31)的磁通密度分解为各轴的磁成分;灵敏度判断部(34b),将来自轴成分分解部(34a)的磁场强度的各轴成分与基准值进行比较来判断灵敏度;以及灵敏度校正部(34c),根据来自灵敏度判断部(34b)的灵敏度信息进行灵敏度校正。
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公开(公告)号:CN101641609B
公开(公告)日:2013-06-05
申请号:CN200880009567.8
申请日:2008-03-21
Applicant: 旭化成微电子株式会社
CPC classification number: G01R33/07 , G01R33/0206 , G01R35/005
Abstract: 本发明涉及一种在设有多个霍尔元件的半导体基板上设置了磁性体的具有灵敏度测量功能的磁传感器和灵敏度测量装置及其方法。由磁感应部(31)检测的磁通密度被切换部(32)提取各轴的磁场强度信息,通过放大部(33)被输入到灵敏度运算部(34)。灵敏度运算部(34)根据来自磁感应部(31)的与各轴相关的磁场强度信息来运算灵敏度。灵敏度运算部具备:轴成分分解部(34a),其将来自磁感应部(31)的磁通密度分解为各轴的磁成分;灵敏度判断部(34b),其将来自轴成分分解部(34a)的磁场强度的各轴成分与基准值进行比较来判断灵敏度;以及灵敏度校正部(34c),其根据来自灵敏度判断部(34b)的灵敏度信息进行灵敏度校正。传感器诊断部(39)根据灵敏度信息自诊断磁传感器的灵敏度是否良好并进行灵敏度自校正(调整)。
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公开(公告)号:CN204009026U
公开(公告)日:2014-12-10
申请号:CN201420478035.1
申请日:2014-08-22
Applicant: 旭化成微电子株式会社
IPC: G01R33/09
Abstract: 本实用新型涉及一种至少对与衬底垂直的磁场和平行的磁场进行混合而能够在可分离的状态下检测各磁场分量的磁传感器。该传感器具备与衬底(355)平行并且呈锯齿状排列的N个聚磁板(351),N为大于或等于12的整数,并且相邻的两个聚磁板(351)在长度方向上相互错开;沿各聚磁板(351)的长度方向并行设置有M个磁阻元件(352),M为大于或等于2的整数,并且各磁阻元件(352)的钉扎层(352-1)与自由层(352-2)经由布线(353)实现相互电连接,沿排列方向的布线(353-1)与沿长度方向的布线(353-2)经由通孔(353-3)实现相互电连接。
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