公开(公告)号：CN113677833B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN201980093708.7

申请日：2019-09-10

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  福井宏史

IPC: C30B29/16 ,  C30B29/22 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供结晶缺陷明显较少的半导体膜。该半导体膜具有由α－Ga2O3或α－Ga2O3系固溶体构成的刚玉型结晶结构，半导体膜的至少一个表面的结晶缺陷密度为1.0×106/cm2以下。

公开(公告)号：CN113677834A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN201980093713.8

申请日：2019-09-10

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  福井宏史

IPC: C30B29/16

Abstract: 本发明提供结晶缺陷明显较少的α－Ga2O3系半导体膜。该半导体膜具有由α－Ga2O3或α－Ga2O3系固溶体构成的刚玉型结晶结构，半导体膜的至少一个表面中的(104)晶面的X射线摇摆曲线半值宽度为500arcsec以下。

公开(公告)号：CN107074574A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201680002585.8

申请日：2016-09-27

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 福井宏史 ,  佐藤圭 ,  渡边守道 ,  七泷努

IPC: C01F7/02 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明的板状氧化铝粉末的制法如下：将过渡氧化铝和氟化物以彼此不接触的方式放入容器中，进行热处理，由此，得到板状的α－氧化铝粉末。过渡氧化铝优选为选自由三水铝石、勃姆石及γ－氧化铝构成的组中的至少1种。氟化物的使用量优选设定成氟化物中的F相对于过渡氧化铝的比例为0.17质量％以上。容器优选为氟化物中的F的质量除以容器的容积而得到的值为6.5×10‑5g/cm3以上的容器。热处理优选于750～1650℃进行。热处理优选在以容器的内外相通的方式关闭容器后或将容器密闭后进行。

公开(公告)号：CN114423883B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN201980098097.5

申请日：2019-09-30

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 福井宏史 ,  渡边守道 ,  吉川润

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368

Abstract: 对于本发明的α－Ga2O3系半导体膜，在测定平面阴极发光的强度映射的各测定点处求出波长250nm以上365nm以下的范围内的最大发光强度A，并求出全部测定点的最大发光强度A按从大到小排序时的前5％的平均值X，此时，存在最大发光强度A为X的0.6倍以下的测定点(暗斑)。

公开(公告)号：CN114423883A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN201980098097.5

申请日：2019-09-30

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 福井宏史 ,  渡边守道 ,  吉川润

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368

Abstract: 对于本发明的α－Ga2O3系半导体膜，在测定平面阴极发光的强度映射的各测定点处求出波长250nm以上365nm以下的范围内的最大发光强度A，并求出全部测定点的最大发光强度A按从大到小排序时的前5％的平均值X，此时，存在最大发光强度A为X的0.6倍以下的测定点(暗斑)。

公开(公告)号：CN114269972A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN201980098054.7

申请日：2019-09-02

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 福井宏史 ,  渡边守道 ,  吉川润

IPC: C30B29/16 ,  C23C16/40 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种α－Ga2O3系半导体膜，其能够明显地提高器件的成品率。该α－Ga2O3系半导体膜是：以具有由α－Ga2O3或α－Ga2O3系固溶体构成的刚玉型结晶结构的结晶为主相的圆形的半导体膜。该半导体膜的表面的中心点X以及4个外周点A、B、C及D各自处的偏角的最大值θmax和最小值θmin满足θmax－θmin≤0.30°的关系。偏角定义为：沿着半导体膜的大致法线方向取向的结晶轴相对于半导体膜的膜面的法线的倾斜角度。外周点A、B、C及D以如下方式进行确定：i)将外周点A及外周点C连结的直线和将外周点B及外周点D连结的直线在中心点X处呈直角相交；且ii)外周点A、B、C及D距半导体膜的外缘的各最短距离为半导体膜的半径的1/5。

公开(公告)号：CN113614292A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN201980081621.8

申请日：2019-04-26

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  福井宏史

IPC: C30B29/16 ,  H01L21/20 ,  H01L21/363 ,  H01L21/365

Abstract: 本发明提供结晶缺陷明显较少、且呈现高介电击穿电场特性的半导体膜。该半导体膜具有由α－Ga2O3或α－Ga2O3系固溶体构成的刚玉型结晶结构，杂质浓度和/或异相量在半导体膜的表面和背面不同。

公开(公告)号：CN107074574B

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201680002585.8

申请日：2016-09-27

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 福井宏史 ,  佐藤圭 ,  渡边守道 ,  七泷努

IPC: C01F7/02 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明的板状氧化铝粉末的制法如下：将过渡氧化铝和氟化物以彼此不接触的方式放入容器中，进行热处理，由此，得到板状的α－氧化铝粉末。过渡氧化铝优选为选自由三水铝石、勃姆石及γ－氧化铝构成的组中的至少1种。氟化物的使用量优选设定成氟化物中的F相对于过渡氧化铝的比例为0.17质量％以上。容器优选为氟化物中的F的质量除以容器的容积而得到的值为6.5×10‑5g/cm3以上的容器。热处理优选于750～1650℃进行。热处理优选在以容器的内外相通的方式关闭容器后或将容器密闭后进行。

公开(公告)号：CN107074573B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201580047885.3

申请日：2015-11-20

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  福井宏史 ,  佐藤圭 ,  七泷努

IPC: C01F7/02 ,  C04B35/626

CPC classification number: C01F7/30 ,  C01F7/441 ,  C01F7/442 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/20 ,  C01P2004/22 ,  C01P2004/50 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/111 ,  C04B35/626 ,  C04B35/62645 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/72 ,  C30B1/02 ,  C30B29/20 ,  C30B29/64

Abstract: 将γ－氧化铝粉末96质量份、AlF3粉末4质量份、作为晶种的α－氧化铝粉末0.17质量份用罐磨机进行混合。对使用的各原料的纯度进行评价，结果，Al、O、F、H、C、S以外的各元素的质量比例为10ppm以下。将得到的混合粉末300g放入纯度99.9质量％的高纯度氧化铝制的匣钵中，盖上纯度99.9质量％的高纯度氧化铝制的盖子，在电炉内，空气流中于900℃进行3小时的热处理，得到板状氧化铝粉末。AlF3质量除以匣钵的体积而得到的值(AlF3质量/容器体积)为0.016g/cm3。得到的板状氧化铝粒子为纵横尺寸比11.5的α－氧化铝粒子。

公开(公告)号：CN113614292B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN201980081621.8

申请日：2019-04-26

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  福井宏史

IPC: C30B29/16 ,  H01L21/20 ,  H01L21/363 ,  H01L21/365

Abstract: 本发明提供结晶缺陷明显较少、且呈现高介电击穿电场特性的半导体膜。该半导体膜具有由α－Ga2O3或α－Ga2O3系固溶体构成的刚玉型结晶结构，杂质浓度和/或异相量在半导体膜的表面和背面不同。