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公开(公告)号：CN101563790B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200780047116.9
申请日：2007-11-28
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L31/108 , H01L31/105 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/1085 , B82Y20/00 , G02B6/1226 , H01L31/0224 , H01L31/105
Abstract: 提供一种实现光电二极管的感光灵敏度和快速性的装置构造。一种在半导体层的表面设置有导电层的肖特基势垒型的光电二极管，所述光电二极管构成为光能够从所述半导体层的背面侧入射，在所述光电二极管的肖特基结的周围形成有周期构造，该周期构造使从所述半导体层的背面侧入射的光产生表面等离子体共振。
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公开(公告)号：CN1965414A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580018358.6
申请日：2005-04-05
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/022408 , H01L31/108
Abstract: 本发明涉及一种肖特基光电二极管，其包括半导体层和配置为接触半导体层的导电膜。导电膜具有小孔和配置在所述小孔周围的周期性结构，用于借助膜表面的入射光通过导电膜的膜表面中受激发的表面等离子体激元产生共振状态。光电二极管探测由受激的表面等离子体激元在导电膜和半导体层之间界面处产生的近场光。小孔具有小于入射光波长的直径。
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公开(公告)号：CN1965414B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200580018358.6
申请日：2005-04-05
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/022408 , H01L31/108
Abstract: 本发明涉及一种肖特基光电二极管，其包括半导体层和配置为接触半导体层的导电膜。导电膜具有小孔和配置在所述小孔周围的周期性结构，用于借助膜表面的入射光通过导电膜的膜表面中受激发的表面等离子体激元产生共振状态。光电二极管探测由受激的表面等离子体激元在导电膜和半导体层之间界面处产生的近场光。小孔具有小于入射光波长的直径。
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公开(公告)号：CN101563790A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200780047116.9
申请日：2007-11-28
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L31/108 , H01L31/105 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/1085 , B82Y20/00 , G02B6/1226 , H01L31/0224 , H01L31/105
Abstract: 提供一种实现发光二极管的感光灵敏度和快速性的装置构造。一种在半导体层的表面设置有导电层的肖特基势垒型的发光二极管，所述发光二极管构成为光能够从所述半导体层的背面侧入射，在所述发光二极管的肖特基接合部的周围形成有周期构造，该周期构造使从所述半导体层的背面侧入射的光产生表面等离子体共振。
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