公开(公告)号：CN118159910A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202280071698.9

申请日：2022-10-27

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 志垣修平 ,  西条太规 ,  柴山亘

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供一种用于形成抗蚀剂下层膜的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其在半导体基板等的加工工序中，不仅能够利用以往的干式蚀刻的方法，还能够利用使用稀氢氟酸、缓冲氢氟酸和碱性药液等药液的湿式蚀刻的方法进行剥离，特别是对碱性药液(碱性药液)显示优异的可溶性；另外，提供一种用于形成保存稳定性优异且干式蚀刻工序中的残渣少的抗蚀剂下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含水解性硅烷混合物的水解缩合物，所述水解性硅烷混合物包含下述式(1)所示的水解性硅烷或下述式(2)所示的水解性硅烷，所述含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物用于形成在碱性药液中显示可溶性的含硅抗蚀剂下层膜。R1aR2bSi(R3)4‑(a+b) (1)式(1)中，R1为键合于硅原子的基团，且表示包含琥珀酸酐骨架的有机基团。R4aR5bSi(R6)4‑(a+b) (2)式(2)中，R4为键合于硅原子的基团，且表示下述式(2‑1)所示的一价基团。#imgabs0#

公开(公告)号：CN119487453A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202380051325.X

申请日：2023-07-04

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 柴山亘 ,  志垣修平 ,  武田谕 ,  古川优树 ,  西条太规

IPC: G03F7/11 ,  C08G77/02 ,  C08G77/04 ,  C08L83/04 ,  C08L101/00 ,  C09D183/04 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 一种叠层体的制造方法，上述叠层体具有表面改性层和半导体基板，所述制造方法包含下述工序：将含有聚合物和溶剂的表面改性剂涂布在半导体基板上，然后进行烧成，使上述聚合物交联，获得表面改性层前体的第1工序；以及使上述表面改性层前体与薄化液接触从而使上述表面改性层前体薄，获得膜厚5nm以下的表面改性层的第2工序。

公开(公告)号：CN118541645A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202380016958.7

申请日：2023-01-11

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 柴山亘 ,  武田谕 ,  志垣修平 ,  古川优树 ,  西条太规

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

Abstract: 一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有[A]成分：含有碳‑碳三键的聚硅氧烷、和[C]成分：溶剂。