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公开(公告)号：CN118197918A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410154336.7
申请日：2024-02-04
Applicant: 文华学院
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明公开了一种GaAs基深刻蚀工艺硬质掩膜材料及其制备方法，该制备方法包括：提供洁净的GaAs衬底；采用外延工艺，在GaAs衬底的表面生长AlXGa1‑XAs薄层；采用光刻工艺，在GaAs衬底的表面旋涂光刻胶、曝光与显影，将光刻掩膜板上的掩膜图形转移到光刻胶表面，得到光刻胶掩膜图形；采用ICP干法刻蚀工艺，以光刻胶为掩膜，完全垂直刻穿AlXGa1‑XAs薄层至GaAs衬底的表面，去胶处理后在GaAs衬底的表面形成AlXGa1‑XAs薄层图形；采用湿法氧化工艺，以将AlXGa1‑XAs氧化生成Al2O3，形成Al2O3薄层图形，以得到GaAs基深刻蚀工艺硬质掩膜材料。本发明旨在通过深刻蚀工艺制作硬质掩膜材料，为GaAs基深刻蚀工艺开发提供了一种新的可行方法和途径。
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