公开(公告)号：CN112698545B

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202011136791.2

申请日：2020-10-22

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 申澈 ,  李锺华 ,  郑始俊 ,  梁澈圭

IPC: G03F1/32

Abstract: 本公开涉及一种用于极紫外光刻的半色调衰减式相移空白掩模和光掩模，用于极紫外光刻的半色调衰减式相移空白掩模包含：顺序地设置于透明衬底上的反射膜、覆盖膜、第一蚀刻终止膜、相移膜、第二蚀刻终止膜以及吸收膜。相移膜具有20％或大于20％的高反射率，如此在晶片印刷期间改进归一化图像对数斜率和掩模误差增强因数的特性。

公开(公告)号：CN112698545A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202011136791.2

申请日：2020-10-22

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 申澈 ,  李锺华 ,  郑始俊 ,  梁澈圭

IPC: G03F1/32

Abstract: 本公开涉及一种用于极紫外光刻的半色调衰减式相移空白掩模和光掩模，用于极紫外光刻的半色调衰减式相移空白掩模包含：顺序地设置于透明衬底上的反射膜、覆盖膜、第一蚀刻终止膜、相移膜、第二蚀刻终止膜以及吸收膜。相移膜具有20％或大于20％的高反射率，如此在晶片印刷期间改进归一化图像对数斜率和掩模误差增强因数的特性。