公开(公告)号：CN113227898B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN201980085968.X

申请日：2019-12-20

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 申澈 ,  李锺华 ,  梁澈圭 ,  崔珉箕 ,  申昇协 ,  公拮寓

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/38

Abstract: 一种空白罩幕以及光罩，所述空白罩幕包括形成于透明基板上的硬膜以及光屏蔽膜。所述硬膜是由硅化合物制成，除硅外，所述硅化合物含有氧、氮及碳中的至少一者。提供一种在分辨率、期望的CD(临界尺寸(criticaldimension))以及制程窗口余裕(process window margin)方面得到改善的空白罩幕以及光罩。因此，当形成32纳米或小于32纳米、特别是14纳米或小于14纳米的图案时，可制造良好品质的空白罩幕以及光罩。

公开(公告)号：CN112015047A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010401171.0

申请日：2020-05-13

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 申澈 ,  李钟华 ,  梁澈圭 ,  崔珉箕 ,  申昇协

IPC: G03F1/50

Abstract: 本发明提供一种空白掩模和光掩模，所述空白掩模包含透明衬底、相移膜以及光遮蔽膜。相移膜例如具有30％到100％的透射率，且在这种情况下，光遮蔽膜具有40纳米到70纳米的厚度和30原子％到80原子％铬、10原子％到50原子％氮、0原子％到35原子％氧以及0原子％到25原子％碳的组成比。堆叠有光遮蔽膜和相移膜的结构具有2.5到3.5的光学密度。因此，当在光掩模的制造工艺中对光遮蔽膜进行蚀刻时，最小化临界尺寸偏差。

公开(公告)号：CN113227898A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201980085968.X

申请日：2019-12-20

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 申澈 ,  李锺华 ,  梁澈圭 ,  崔珉箕 ,  申昇协 ,  公拮寓

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/38

Abstract: 一种空白罩幕包括形成于透明基板上的硬膜以及光屏蔽膜。所述硬膜是由硅化合物制成，除硅外，所述硅化合物含有氧、氮及碳中的至少一者。提供一种在分辨率、期望的CD(临界尺寸(critical dimension))以及制程窗口余裕(process window margin)方面得到改善的空白罩幕以及光罩。因此，当形成32纳米或小于32纳米、特别是14纳米或小于14纳米的图案时，可制造良好品质的空白罩幕以及光罩。