非稠环n-型有机半导体材料与其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117343084A

    公开(公告)日:2024-01-05

    申请号:CN202311242807.1

    申请日:2023-09-25

    Abstract: 本申请公开了一种非稠环n‑型有机半导体材料与其制备方法和应用,属于有机半导体材料技术领域。本申请非稠环n‑型有机半导体材料的结构为: 其中,R为H、F、Cl中的一种。本申请的非稠环n‑型有机半导体材料为A‑DA’D‑A型有机半导体小分子,可保持良好的平面共轭结构,能够有效释放分子内的张力,并使得有机半导体材料分子之间可以通过3‑(二氰基亚甲基)靛酮端基实现π‑π堆积,实现有机半导体材料分子在OFET中的快速成膜,并且具备良好的电子迁移率,可用于有机场效应晶体管器件中半导体层的制备。

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