公开(公告)号：CN118833852A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410935781.7

申请日：2024-07-12

Applicant: 安徽工业大学

Inventor： 徐亮 ,  赵卓 ,  杨成 ,  施全 ,  杨毅帆 ,  王琼 ,  尹寒骁 ,  邢浩然

IPC: C01G15/00

Abstract: 本发明属于有色金属冶金技术领域，具体涉及一种高效短流程制备高纯羟基氧化铟的方法。本发明以高纯金属铟和去离子水为原料，在压力反应釜中机械搅拌条件下进行反应，使金属铟一步完全转化为高纯羟基氧化铟粉体。反应过程几乎不消耗化学试剂，极大降低了产品被污染的风险，获得的高纯羟基氧化铟产品既可以直接用作化工原料，也可以进一步通过常规高温煅烧获得高纯氧化铟粉体材料，广泛用于新型显示、半导体等新兴产业。本发明技术方案具有工艺流程短、反应效率高、产品纯度高、生产成本低等优势，可以实现高纯羟基氧化铟的高效短流程制备。

公开(公告)号：CN118877928A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410973500.7

申请日：2024-07-19

Applicant: 安徽工业大学

Inventor： 徐亮 ,  赵卓 ,  杨成 ,  施全 ,  蔡澳 ,  李梦阳 ,  韩晓雨 ,  何肖阳

IPC: C01G15/00

Abstract: 本发明属于有色金属冶金技术领域，具体涉及一种短流程制备羟基氧化镓粉体的方法。本发明以镓的无机盐为原料，在超声外场作用下，使镓盐与去离子水直接发生反应，一步制备羟基氧化镓粉体材料。本发明技术方案流程短、效率高，生产过程中基本不使用化学试剂，不仅极大程度上降低了由生产流程或试剂原料引入杂质污染的风险，有利于获得高纯产品，而且生产工艺具有成本低、对环境友好等优点，制备得到的羟基氧化镓粉体可直接进一步用于生产高纯氧化镓半导体材料。