一种秀珍菇培养基质的培养方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118923430A

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202411117334.7

    申请日:2024-08-15

    Inventor: 丁辉 林鑫宇

    Abstract: 本发明提供了一种秀珍菇培养基质的培养方法,包括以下步骤:植物秸秆脱水并粉碎,然后进行脱蜡,并将其烘干,然后按比例称取所有原料,将干燥的固体原料取出进行粉碎,并将部分干燥的粉状原料加入清水浸泡,然后将所有处理完成的原料混合,通过搅拌机搅拌均匀,将搅拌完成的原料堆放在发酵槽内进行发酵处理,发酵完成后,测量发酵混合物的含水量,若不符合,则加入适量水进行搅拌,符合后将混合物装入装入菌料袋,最后装袋后进行高温灭菌。本发明通过利用植物秸秆为秀珍菇培养基质的主要原料,减轻环境的污染,并通过氢氧化钠溶液将植物秸秆表面的蜡层去粗,使植物秸秆的营养成分容易被秀珍菇吸收利用,提高了营养物质的吸收效率。

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