包覆金属层的基材及其制造方法

    公开(公告)号:CN101517123B

    公开(公告)日:2012-12-05

    申请号:CN200780034002.0

    申请日:2007-09-07

    Inventor: 黑田英克

    Abstract: 本发明涉及包覆金属层的基材,其特征在于,包含基材、该基材上经由含有螯合物形成性官能团的硅烷偶联剂形成的金属纳米微粒的散点状物或层状物、和在该金属纳米微粒的散点状物或层状物上形成的金属层;涉及包覆金属层的基材的制造方法,其特征在于,使基材与包含水解催化剂、含有螯合物形成性官能团的硅烷偶联剂以及金属纳米微粒形成性金属盐的水性溶液接触后,通过用还原剂进行处理,经由含有螯合物形成性官能团的硅烷偶联剂在基材上形成金属纳米微粒的散点状物或层状物,然后在该金属纳米微粒的散点状物或层状物上形成金属层。

    金属薄膜形成方法及导电性粒子

    公开(公告)号:CN101842515A

    公开(公告)日:2010-09-22

    申请号:CN200880111331.5

    申请日:2008-10-21

    Inventor: 黑田英克

    Abstract: 一种金属薄膜形成方法,通过无电解镀,在粒径为0.5μm~100μm的非导电性粒子上形成金属薄膜。该无电解镀在对非导电性粒子进行附着金属核的预处理之后实施,并且在具有硫醇基的硅烷化合物的存在下,形成由银构成的金属薄膜。该导电性粒子通过在非导电性粒子的整个表面上形成的金属薄膜而被赋予导电性。非导电性粒子的粒径在0.5μm~100μm的范围内。另外,该金属薄膜由单层银构成。

    包覆金属层的基材及其制造方法

    公开(公告)号:CN101517123A

    公开(公告)日:2009-08-26

    申请号:CN200780034002.0

    申请日:2007-09-07

    Inventor: 黑田英克

    Abstract: 本发明涉及包覆金属层的基材,其特征在于,包含基材、该基材上经由含有螯合物形成性官能团的硅烷偶联剂形成的金属纳米微粒的散点状物或层状物、和在该金属纳米微粒的散点状物或层状物上形成的金属层;涉及包覆金属层的基材的制造方法,其特征在于,使基材与包含水解催化剂、含有螯合物形成性官能团的硅烷偶联剂以及金属纳米微粒形成性金属盐的水性溶液接触后,通过用还原剂进行处理,经由含有螯合物形成性官能团的硅烷偶联剂在基材上形成金属纳米微粒的散点状物或层状物,然后在该金属纳米微粒的散点状物或层状物上形成金属层。

Patent Agency Ranking