-
公开(公告)号：CN109585698A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811336647.6
申请日：2018-11-12
申请人： 天津理工大学
CPC分类号： H01L51/56 , H01L51/0035 , H01L51/004 , H01L51/506 , H01L51/5076
摘要： 一种溶液法制备p-i-n结构的低压驱动有机发光二极管(OLED)的方法，该OLED器件由带有透明ITO玻璃衬底、p型掺杂传输层、发光层、n型掺杂传输层、电子缓冲层和金属背电极叠加组成。本发明通过将复合材料PTAA:AgNWs引入到OLED器件中，能够有效提高空穴传输层的传输性能，并降低空穴注入势垒，从而降低了器件的驱动电压；通过溶液法制备出PEI:SnS2-QDs作为OLED器件的电子传输层，进一步改善了器件中电子的注入和传输能力。最终在降低器件驱动电压的同时，有效地提高了OLED器件的发光效率。
-
公开(公告)号：CN109585698B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201811336647.6
申请日：2018-11-12
申请人： 天津理工大学
摘要： 一种溶液法制备p‑i‑n结构的低压驱动有机发光二极管(OLED)的方法，该OLED器件由带有透明ITO玻璃衬底、p型掺杂传输层、发光层、n型掺杂传输层、电子缓冲层和金属背电极叠加组成。本发明通过将复合材料PTAA:AgNWs引入到OLED器件中，能够有效提高空穴传输层的传输性能，并降低空穴注入势垒，从而降低了器件的驱动电压；通过溶液法制备出PEI:SnS2‑QDs作为OLED器件的电子传输层，进一步改善了器件中电子的注入和传输能力。最终在降低器件驱动电压的同时，有效地提高了OLED器件的发光效率。
-
公开(公告)号：CN109461820B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201811252314.5
申请日：2018-10-25
申请人： 天津理工大学
摘要： 本发明公开一种二维无铅有机‑无机杂化钙钛矿二极管光探测器及其制备方法，属于钙钛矿光探测器技术领域。此类光探测器包括作为阳极的氧化铟锡玻璃衬底，作为空穴传输层的PEDOT:PSS，作为光敏层的二维无铅有机‑无机杂化钙钛矿系列材料，作为电子传输层的PCBM，作为阴极的金属铝薄膜。与现有技术相比，该系列钙钛矿材料中的锡元素取代了铅元素，克服了传统含铅钙钛矿材料的毒性问题；该二极管结构的光探测器，其制备工艺简单，可探测特定波长的光，且具有较高的探测率。这些优点将进一步促进此类钙钛矿材料在光电子器件中的应用。
-
公开(公告)号：CN109461820A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811252314.5
申请日：2018-10-25
申请人： 天津理工大学
摘要： 本发明公开一种二维无铅有机-无机杂化钙钛矿二极管光探测器及其制备方法，属于钙钛矿光探测器技术领域。此类光探测器包括作为阳极的氧化铟锡玻璃衬底，作为空穴传输层的PEDOT:PSS，作为光敏层的二维无铅有机-无机杂化钙钛矿系列材料，作为电子传输层的PCBM，作为阴极的金属铝薄膜。与现有技术相比，该系列钙钛矿材料中的锡元素取代了铅元素，克服了传统含铅钙钛矿材料的毒性问题；该二极管结构的光探测器，其制备工艺简单，可探测特定波长的光，且具有较高的探测率。这些优点将进一步促进此类钙钛矿材料在光电子器件中的应用。
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.022 秒)
