交联性弹性体组合物和氟橡胶成型品

    公开(公告)号:CN114456524B

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN202210126844.5

    申请日:2018-10-17

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种交联性弹性体组合物,其在特定条件下的等离子体照射后的重量减少率与颗粒产生量、以及高温下的压缩永久变形小。本发明涉及一种交联性弹性体组合物和氟橡胶成型品,组合物含有交联性弹性体、和表面被氧化的非氧化物系陶瓷,氟橡胶成型品在特定条件下的O2等离子体照射后的重量减少率为2.5质量%以下,颗粒产生量为0.05质量%以下,NF3等离子体照射后的重量减少率为1.8质量%以下,颗粒产生量为0.05质量%以下,300℃、70小时下的压缩永久变形为50%以下。

    交联性弹性体组合物和氟橡胶成型品

    公开(公告)号:CN114456524A

    公开(公告)日:2022-05-10

    申请号:CN202210126844.5

    申请日:2018-10-17

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种交联性弹性体组合物,其在特定条件下的等离子体照射后的重量减少率与颗粒产生量、以及高温下的压缩永久变形小。本发明涉及一种交联性弹性体组合物和氟橡胶成型品,组合物含有交联性弹性体、和表面被氧化的非氧化物系陶瓷,氟橡胶成型品在特定条件下的O2等离子体照射后的重量减少率为2.5质量%以下,颗粒产生量为0.05质量%以下,NF3等离子体照射后的重量减少率为1.8质量%以下,颗粒产生量为0.05质量%以下,300℃、70小时下的压缩永久变形为50%以下。

    交联性弹性体组合物和氟橡胶成型品

    公开(公告)号:CN111212874B

    公开(公告)日:2022-03-04

    申请号:CN201880067141.1

    申请日:2018-10-17

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种交联性弹性体组合物,其在特定条件下的等离子体照射后的重量减少率与颗粒产生量、以及高温下的压缩永久变形小。本发明涉及一种交联性弹性体组合物,其含有交联性弹性体、和表面被氧化的非氧化物系陶瓷。另外涉及一种氟橡胶成型品,其在下述条件下的O2等离子体照射后的重量减少率为2.5质量%以下,颗粒产生量为0.05质量%以下,NF3等离子体照射后的重量减少率为1.8质量%以下,颗粒产生量为0.05质量%以下,300℃、70小时下的压缩永久变形为50%以下。记样品:O型圈(AS‑568A‑214)测定方法:(1)O2等离子体等离子体照射装置:ICP高密度等离子体装置(Samco Inc.制造RIE‑101iPH型)照射条件气体流量:16SCCM RF输出功率:400Wh压力:2.66Pa蚀刻时间:30分钟温度:100℃全氟弹性体(非填料)的蚀刻速度相当于的条件。(2)NF3等离子体等离子体照射装置:ICP高密度等离子体装置(Samco Inc.制造RIE‑101iPH型)照射条件气体流量:16SCCM RF输出功率:400Wh压力:10Pa蚀刻时间:4小时温度:200℃硅晶片热氧化膜(SiO2)的蚀刻速度相当于的条件。

    含有含氟聚合物的组合物和成型品

    公开(公告)号:CN112543788A

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN201980049125.4

    申请日:2019-07-24

    Abstract: 提供一种组合物,其含有:含氟聚合物;选自由具有特定结构的二羧酸化合物和具有特定结构的单羧酸化合物组成的组中的至少一种羧酸化合物;以及选自由伯胺化合物、仲胺化合物、无机氮化物、有机锡化合物、过氧化物交联剂、多元醇交联剂、多元胺交联剂、噁唑交联剂、咪唑交联剂和噻唑交联剂组成的组中的至少一种交联用混配剂。

    交联性弹性体组合物和氟橡胶成型品

    公开(公告)号:CN111212874A

    公开(公告)日:2020-05-29

    申请号:CN201880067141.1

    申请日:2018-10-17

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种交联性弹性体组合物,其在特定条件下的等离子体照射后的重量减少率与颗粒产生量、以及高温下的压缩永久变形小。本发明涉及一种交联性弹性体组合物,其含有交联性弹性体、和表面被氧化的非氧化物系陶瓷。另外涉及一种氟橡胶成型品,其在下述条件下的O2等离子体照射后的重量减少率为2.5质量%以下,颗粒产生量为0.05质量%以下,NF3等离子体照射后的重量减少率为1.8质量%以下,颗粒产生量为0.05质量%以下,300℃、70小时下的压缩永久变形为50%以下。记样品:O型圈(AS-568A-214)测定方法:(1)O2等离子体等离子体照射装置:ICP高密度等离子体装置(Samco Inc.制造RIE-101iPH型)照射条件气体流量:16SCCM RF输出功率:400Wh压力:2.66Pa蚀刻时间:30分钟温度:100℃全氟弹性体(非填料)的蚀刻速度相当于的条件。(2)NF3等离子体等离子体照射装置:ICP高密度等离子体装置(Samco Inc.制造RIE-101iPH型)照射条件气体流量:16SCCM RF输出功率:400Wh压力:10Pa蚀刻时间:4小时温度:200℃硅晶片热氧化膜(SiO2)的蚀刻速度相当于 的条件。

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