-
公开(公告)号：CN102822733A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180015751.5
申请日：2011-03-29
IPC: G02F1/1339 , G09F9/00 , G09F9/30
CPC classification number: G02F1/13394 , G02F1/133305 , G02F1/1339 , G02F2001/13398
Abstract: 本发明的液晶显示元件（10）包括：至少一个基板具有可挠性的一对基板（1）；在一对基板（1）之间封入的液晶（3）；具有保持液晶（3）的厚度的高度的间隔物（4）；用于封入液晶（3）的密封部件（2）；和将液晶封入区域划分为包括显示区域的第一区域和其外侧的第二区域的堤坝部件（5）。堤坝部件（5）与一对基板（1）中的一个基板（1b）粘接，与另一个基板（1a）紧贴但不粘接。
-
公开(公告)号：CN102822733B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201180015751.5
申请日：2011-03-29
IPC: G02F1/1339 , G09F9/00 , G09F9/30
CPC classification number: G02F1/13394 , G02F1/133305 , G02F1/1339 , G02F2001/13398
Abstract: 本发明的液晶显示元件（10）包括：至少一个基板具有可挠性的一对基板（1）；在一对基板（1）之间封入的液晶（3）；具有保持液晶（3）的厚度的高度的间隔物（4）；用于封入液晶（3）的密封部件（2）；和将液晶封入区域划分为包括显示区域的第一区域和其外侧的第二区域的堤坝部件（5）。堤坝部件（5）与一对基板（1）中的一个基板（1b）粘接，与另一个基板（1a）紧贴但不粘接。
-
公开(公告)号：CN101632179A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200880008220.1
申请日：2008-04-01
Applicant: 夏普株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78696 , Y10S438/922
Abstract: 本发明提供半导体元件及其制造方法、以及包括该半导体元件的电子器件。本发明的薄膜晶体管(1)，在绝缘性基板(2)上以规定的形状形成栅极电极(3)之后，依次叠层栅极绝缘膜(4)和在该栅极绝缘膜(4)上的作为多晶ZnO的半导体层(5)。通过将半导体层(5)浸渍在溶解有杂质的溶液中，在多晶ZnO膜的晶界部分有选择地掺杂杂质。此后，以规定的形状形成源极电极(6)和漏极电极(7)，进而叠层保护膜(8)。由此，能够实现亚阈值特性优异、并具有氧化锌膜作为活性层的基底的薄膜晶体管。
-
公开(公告)号：CN101632179B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200880008220.1
申请日：2008-04-01
Applicant: 夏普株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78696 , Y10S438/922
Abstract: 本发明提供半导体元件及其制造方法、以及包括该半导体元件的电子器件。本发明的薄膜晶体管(1)，在绝缘性基板(2)上以规定的形状形成栅极电极(3)之后，依次叠层栅极绝缘膜(4)和在该栅极绝缘膜(4)上的作为多晶ZnO的半导体层(5)。通过将半导体层(5)浸渍在溶解有杂质的溶液中，在多晶ZnO膜的晶界部分有选择地掺杂杂质。此后，以规定的形状形成源极电极(6)和漏极电极(7)，进而叠层保护膜(8)。由此，能够实现亚阈值特性优异、并具有氧化锌膜作为活性层的基底的薄膜晶体管。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.022 seconds)
