公开(公告)号：CN1967795A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610149227.8

申请日：2006-11-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 李庭凯 ,  许胜藤 ,  L·H·斯特克

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247 ,  H01L29/788 ,  H01L29/49 ,  H01L27/115 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L29/7881 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/349 ,  G11C16/3495 ,  G11C2216/08 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/15 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/66825

Abstract: 已经提供一种纳米晶硅量子点子存储设备和相关的制造方法。该方法包括：形成覆盖在硅基片有源层上的栅(隧道)氧化物层；形成覆盖在栅氧化物层上的纳米晶硅存储薄膜；包括多晶硅(poly－Si)/二氧化硅层；形成覆盖在纳米晶硅存储薄膜上的控制氧化硅层；形成覆盖在控制氧化物层上的栅电极；并且，形成硅有源层中的源/漏区域。一方面，通过用化学气相沉积(CVD)过程沉积一层非晶硅(a－Si)而形成纳米晶硅存储薄膜，并且热氧化非晶硅层的一部分。通常，重复非晶硅沉积和氧化过程，形成多个多晶硅/二氧化硅层叠(即，2到5个多晶硅/二氧化硅层叠)。