喷淋型气相生长装置及其气相生长方法

    公开(公告)号:CN102272898A

    公开(公告)日:2011-12-07

    申请号:CN201080004236.2

    申请日:2010-01-28

    Inventor: 坪井俊树

    CPC classification number: C23C16/45565 C23C16/4401

    Abstract: 本发明的喷淋型气相生长装置包括:用于装载和搬送覆盖板(26)的搬送叉(40);设在与搬送叉(40)相反侧的保持部件(50),其用于接收和装载保持由搬送叉(40)搬送的覆盖板(26)。在覆盖板(26)的外周上形成有两对以上的搬送叉侧切口(26a、26a)以及保持部件侧切口(26b、26b),而且在搬送叉(40)以及保持部件(50)上分别设有至少一对与所述切口相对应的定位突起(46、46)以及保持部件突起部(52、52)。由此,易于对搬送对象物的搬送方向以及旋转方向进行限制,以及确立高精度且复杂的搬送对象物搬送方法,从而能够提供搬送信赖性较高的喷淋型气相生长装置及其气相生长方法。

    气相沉积装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102714147A

    公开(公告)日:2012-10-03

    申请号:CN201180005087.6

    申请日:2011-06-20

    CPC classification number: C23C16/45565 C23C16/4412

    Abstract: 本发明的气相沉积装置(1A)具有:配设有使薄膜进行气相沉积的被处理基板(31)的反应炉(20);具有导入气体的气体导入口(14)、用于使气体扩散的气体分配空间(13)、穿设有用于将气体分配空间(13)的气体供给至反应炉(20)的内部的多个气体流路(15)的喷板(11)的喷头(10);用于将反应炉(20)的气体向外部排气的排气口(26)。喷头(10)的气体分配空间(13)是以喷板(11)为底面的空间,且具有远离反应炉(20)的排气口(26)一侧的第一空间(131)、和靠近反应炉(20)的排气口(26)一侧的第二空间(132)。第一空间(131)形成得比第二空间(132)高。

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