公开(公告)号：CN109698205B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN201811238583.6

申请日：2018-10-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原义仁 ,  北川英树 ,  大东彻 ,  今井元 ,  前田昌纪 ,  川崎达也 ,  伊藤俊克

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

Abstract: 本发明的课题在于提供一种也可适用于大型液晶面板的有源矩阵基板。有源矩阵基板(100)具备源极总线及栅极总线、分别配置于各像素区域P的薄膜晶体管(10)及像素电极PE、隔着介电层配置于像素电极上的共用电极CE、以及在显示区域内配置于栅极金属层与源极金属层之间的旋涂玻璃层(23)，像素电极是由与薄膜晶体管的氧化物半导体层(7)相同的金属氧化物膜形成，旋涂玻璃层在各像素区域内的形成有薄膜晶体管的部分具有开口部(23p)，旋涂玻璃层位于源极总线SL与栅极总线GL交叉的交叉部Dsg的源极总线与栅极总线之间、且位于各像素区域内的像素电极PE的至少一部分与基板(1)之间。

公开(公告)号：CN109698205A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811238583.6

申请日：2018-10-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原义仁 ,  北川英树 ,  大东彻 ,  今井元 ,  前田昌纪 ,  川崎达也 ,  伊藤俊克

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

Abstract: 本发明的课题在于提供一种也可适用于大型液晶面板的有源矩阵基板。有源矩阵基板(100)具备源极总线及栅极总线、分别配置于各像素区域P的薄膜晶体管(10)及像素电极PE、隔着介电层配置于像素电极上的共用电极CE、以及在显示区域内配置于栅极金属层与源极金属层之间的旋涂玻璃层(23)，像素电极是由与薄膜晶体管的氧化物半导体层(7)相同的金属氧化物膜形成，旋涂玻璃层在各像素区域内的形成有薄膜晶体管的部分具有开口部(23p)，旋涂玻璃层位于源极总线SL与栅极总线GL交叉的交叉部Dsg的源极总线与栅极总线之间、且位于各像素区域内的像素电极PE的至少一部分与基板(1)之间。

公开(公告)号：CN109597234A

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201811139272.4

申请日：2018-09-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北川英树 ,  大东彻 ,  今井元 ,  原义仁 ,  前田昌纪 ,  伊藤俊克 ,  川崎达也

IPC: G02F1/1333

Abstract: 一种显示面板，抑制位置检测配线与其它配线发生干扰的事态。其特征在于，具备：玻璃基板(31)；多个像素电极(33)，其设置于玻璃基板(31)；多个位置检测电极(48)，其设置于玻璃基板(31)，检测位置输入体的输入位置；多个TFT(32)，其在玻璃基板(31)中相比于像素电极(33)和位置检测电极(48)设置在下层，连接到多个像素电极(33)中的每一个像素电极(33)；位置检测配线(50)，其在玻璃基板(31)中相比于TFT(32)设置在下层，电连接到位置检测电极(48)；以及SOG膜(52)，其配置在位置检测配线(50)与TFT(32)之间。

公开(公告)号：CN104704547A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201380051576.4

申请日：2013-09-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中田幸伸 ,  前田昌纪

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1244 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136204 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/0296 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/127 ,  H01L29/7869

Abstract: 阵列基板(11b)包括：第一二极管(29)，其具有由第二金属膜(38)构成的第一电极部(29a、29b)、和通过第一二极管侧开口部(29c1、29c2)与第一电极部(29a、29b)连接的第一半导体部(29d)；接触部(32)，其具有由第一金属膜(34)构成且在栅极配线(19)的端部形成的栅极配线侧连接部(48)和通过接触部侧开口部(49a)与栅极配线侧连接部(48)连接的二极管侧连接部(50)；和静电保护部(51)，其具有由半导体膜(36)构成，用于引导在将第二金属膜(38)成膜前的阶段在第一二极管(29)和接触部(32)中的任一方产生的静电的静电引导部(52)，和由保护膜(37)构成，具有在俯视时与静电引导部(52)重叠的位置贯通形成的静电引导开口部(53a)的引导部保护部(53)。

公开(公告)号：CN112349732B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202010782151.2

申请日：2020-08-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原义仁 ,  大东彻 ,  今井元 ,  前田昌纪 ,  川崎达也 ,  北川英树 ,  平田义晴

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

Abstract: 有源矩阵基板包括栅极总线、源极总线、下部绝缘层以及氧化物半导体TFT，氧化物半导体TFT具有配置在下部绝缘层上的氧化物半导体层、栅电极、源电极、以及连接氧化物半导体层以及源电极的第一欧姆导电部，下部绝缘层具有使源电极的至少一部分露出的源极用开口部，第一欧姆导电部配置在下部绝缘层上以及源极用开口部内，且在源极用开口部内与源电极的至少一部分直接接触，氧化物半导体层的第一区域与第一欧姆导电部的上表面直接接触。

公开(公告)号：CN112071860B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202010444250.X

申请日：2020-05-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北川英树 ,  原义仁 ,  前田昌纪 ,  平田义晴 ,  川崎达也 ,  上田辉幸 ,  今井元 ,  大东彻

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板以及其制造方法。有源矩阵基板包括：基板；多个下部总线以及多个上部总线；下部绝缘层，位于多个下部总线与多个上部总线之间；氧化物半导体TFT，是配置在各像素区域的氧化物半导体TFT，包含配置在下部绝缘层上的氧化物半导体层；像素电极，配置在各像素区域；多个配线连接部，配置在非显示区域。各配线连接部包含：下部导电层，使用与多个下部总线相同的导电膜而形成；绝缘层，是在下部导电层上延伸设置的，包含下部绝缘层的绝缘层，包含露出下部导电层的一部分的第一开口部；其他导电层，在第一开口部内连接在下部导电层。多个下部总线以及下部导电层包含：包含金属层、和覆盖金属层的上面以及侧面的透明导电层。

公开(公告)号：CN109313371B

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN201780035306.2

申请日：2017-06-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原义仁 ,  前田昌纪 ,  冨永真克 ,  小笠原功 ,  前野训子 ,  纸谷晋吾 ,  三村泰裕 ,  堀内智 ,  浅井芳启

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1333 ,  G06F3/041 ,  G06F3/044

Abstract: 本发明在于提供可抑制端子部的连接不良的显示装置及其制造方法。显示装置的有源矩阵基板(1)具备:栅极布线；数据布线，其与栅极布线交叉配置；像素电极；对置电极，其在与像素电极之间形成电容；以及信号线，其与对置电极连接，并供给触摸检测用的驱动信号。另外，具备:显示用驱动电路，其用于对栅极布线和数据布线的至少一方供给控制信号；触摸检测用驱动电路，其供给触摸检测用的驱动信号。另外，有源矩阵基板(1)具有将显示用驱动电路与触摸检测用驱动电路连接的多个端子部(Ta)，端子部(Ta)具有共用的层结构。

公开(公告)号：CN110310960A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910210031.2

申请日：2019-03-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 上田辉幸 ,  原义仁 ,  大东彻 ,  今井元 ,  北川英树 ,  前田昌纪 ,  川崎达也 ,  平田义晴 ,  菊池哲郞 ,  伊藤俊克

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

Abstract: 本发明提供包括电阻低的栅极金属层的有源矩阵基板。有源矩阵基板包括包含多条源极总线SL的源极金属层及包含多条栅极总线GL的栅极金属层、与配置于各像素区域的薄膜晶体管(101)，薄膜晶体管包括：栅极电极(3)、隔着栅极绝缘层(5)而配置在栅极电极(3)上的氧化物半导体层(7)、源极电极(8)及漏极电极(9)，栅极电极(3)形成在栅极金属层内，且电连接于多条栅极总线GL中的对应的一条栅极总线GL，栅极金属层具有层叠构造，该层叠构造包含铜合金层(g1)、与配置在铜合金层(g1)上的铜层(g2)，铜合金层(g1)由包含Cu与至少一个添加金属元素的铜合金形成，添加金属元素包含Al，铜合金中的Al的含有量为2at％以上且为8at％以下。

公开(公告)号：CN104704546A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201380051280.2

申请日：2013-09-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中田幸伸 ,  前田昌纪

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136204 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2201/40 ,  H01L21/768 ,  H01L27/0292 ,  H01L27/0296 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  G02F1/1365

Abstract: 阵列基板(11b)包括：第1二极管(29)，该第1二极管(29)至少具有第1半导体部(29d)，该第1半导体部(29d)具有在俯视时与第1电极部(29a、29b)的外缘部(29a1、29b1)交叉的外缘部(29d1)；由第1金属膜(34)形成的共用配线(25)；由第2金属膜(38)形成且与共用配线(25)交叉的第1短路配线部(31)；和静电保护部(51)，该静电保护部(51)至少具有静电引导部(52)，该静电引导部(52)由第2金属膜(38)或保护膜(37)形成，在俯视时至少一部分与共用配线(25)重叠，且配置在与共用配线(25)和第1短路配线部(31)的交叉部位(CPT)相比相对靠近第1二极管(29)的位置，并且用于引导静电。

公开(公告)号：CN101438337B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200780016192.3

申请日：2007-03-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 平户伸一 ,  上嶋基嗣 ,  前田昌纪

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/1345 ,  G02F1/136204 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明涉及TFT基板、包括该基板的显示面板和显示装置、TFT基板制造方法。在TFT基板的制造工序中，将数据信号线(12)的上侧画面一侧与下侧画面一侧的分割处(Q)取为避开扫描信号线(11)上附近，在栅极绝缘膜(23)的十分平坦的部分中，除去栅极绝缘膜(23)上的i层(24)和n+层(25)的部位。