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公开(公告)号:CN101405648B
公开(公告)日:2011-12-07
申请号:CN200780009446.9
申请日:2007-02-19
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1335 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F2201/52
Abstract: 在由4个以上像素规定1个图像元素的透过反射两用型液晶显示装置中,实现开口率高,而且在重视了透过模式的显示中优选的结构。本发明的液晶显示装置是具有包括显示相互不同颜色的第一像素、第二像素、第三像素以及第四像素的多个像素,多个像素的每一个具有以透过模式进行显示的透过区域、以反射面模式进行显示的反射区域的透过反射两用型的液晶显示装置。各像素包括具有与邻接像素啮合那样形状的啮合部,各像素的反射区域配置在啮合部中。
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公开(公告)号:CN101636828B
公开(公告)日:2011-09-21
申请号:CN200880008589.2
申请日:2008-02-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/20 , H01L21/322 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13624 , G02F1/1368 , H01L27/1214 , H01L27/1277 , H01L29/78645 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板。在本发明的有源矩阵基板(100)中,令使以最短距离连接沟道区域(134)和吸杂区域(112)的线段投影在连接TFT(130)的沟道区域(134)和源极接触部的直线上的长度为d1,令从沟道区域(134)至源极接触部(132c)的长度为d2,令从沟道区域(134)至第一端部(110a)的长度为d3,令第一端部(110a)的长度为L1,令源极接触部(132c)的长度为A1,则满足d2>d1和d2+A1/2>d3+L1/2。
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公开(公告)号:CN101950104A
公开(公告)日:2011-01-19
申请号:CN201010282238.X
申请日:2006-06-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1337
CPC classification number: G02F1/134336 , G02F1/133377 , G02F1/133753 , G02F2001/134318
Abstract: 本发明提供能够防止由连接子像素电极彼此的连接电极所引起的液晶分子的取向紊乱所产生的粒状性、烧屏和残像等显示品质劣化的垂直取向方式的液晶显示装置及其制造方法。在该液晶显示装置中,液晶面板的各像素电极(2)通过将至少2个以上的子像素电极(2a)组合而构成、且各子像素电极(2a)通过宽度比子像素电极(2a)窄的电桥(3)分别连接。采用当施加电压时,液晶分子以与各子像素电极(2a)面垂直的方向的取向中心轴为基准而轴对称地倾倒的垂直取向方式。电桥(3)相对于子像素电极(2a)被设置在非对称位置。
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公开(公告)号:CN101669164A
公开(公告)日:2010-03-10
申请号:CN200880013663.X
申请日:2008-02-28
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G2320/0242 , G09G2340/06 , G09G2360/144
Abstract: 本发明的目的在于,提供一种在使用由四色以上的子像素构成各像素的显示面板的前提下、维持色彩再现性和亮度的平衡的显示装置。外来光检测部(500)输出与外来光的强度对应的电流(Ia)。切换控制电路(600)基于电流(Ia)的大小,输出用于选择显示模式的显示模式选择信号(S)。输出选择电路(120)在第一显示模式(较暗时)的情况下,将RGB图像信号提供给输入选择电路(160),在第二显示模式(较亮时)的情况下,将RGB图像信号提供给灰度值变换部(140)。在第一显示模式时,将黑信号生成电路(130)生成的W图像信号用作为灰度信号(DV)。在第二显示模式时,将灰度值变换部(140)通过参照灰度值决定用表格(150)而生成的W图像信号用作为灰度信号(DV)。
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公开(公告)号:CN101636827A
公开(公告)日:2010-01-27
申请号:CN200880008554.9
申请日:2008-02-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/20 , H01L21/322 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13624 , G02F1/1368 , H01L27/1277 , H01L29/78645 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板。在本发明的有源矩阵基板(100)中,半导体层(110)具有与第一薄膜晶体管(130)的源极区域(132)相邻接的第一吸杂区域(112);与第二薄膜晶体管(140)的漏极区域(146)相邻接的第二吸杂区域(114);和第三吸杂区域(116),其与薄膜晶体管元件(120)所包含的薄膜晶体管的源极区域和漏极区域中位于第一薄膜晶体管(130)的沟道区域(134)与第二薄膜晶体管(140)的沟道区域(144)之间的源极区域和漏极区域中的任一个相邻接。
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公开(公告)号:CN101556419A
公开(公告)日:2009-10-14
申请号:CN200910132120.6
申请日:2005-02-04
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1335 , G09F9/00
CPC classification number: G02F1/133514 , G02F1/136286 , G02F2201/122
Abstract: 一种显示装置,减少横纹的发生,提高显示品位。显示装置,包括以蛇行的方式在列的方向延伸,分别供给像素信号的多条信号线(5),覆盖上述多条信号线(5)的绝缘膜,在上述绝缘膜上形成的,从上述的多条信号线(5)分别输入上述像素信号的多个像素电极(7)。列方向相邻的上述电极(7、7)之间的距离D0为上述信号线(5)的线幅w以上的长度。
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公开(公告)号:CN1651998A
公开(公告)日:2005-08-10
申请号:CN200510007520.6
申请日:2005-02-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1343 , H01L29/786 , G02F1/136 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/136259 , G02F2001/136268 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1248
Abstract: 提供一种即使在一个像素中设置备用TFT也能抑制成品率降低的电子元件、显示元件及其制造方法(修正方法)。设置有源极线(2)、像素电极(8)、切换它们间电连接的第一TFT(5a)、以及备用的第二TFT(5b)。第二TFT(5b)包括形成有源极(4b)和漏极(4c)的半导体膜(4)、和隔着栅极绝缘膜(12)设在半导体膜(4)上的栅极(1b),源极线(2)相对第二TFT(5b)的半导体膜(4)隔着比栅极绝缘膜(12)更厚的层间绝缘膜(13)设置,且在第一TFT(5a)不能使用时,通过在层间绝缘膜(13)上形成接触孔可与源极(4b)电连接,源极线(2)和像素电极(8)间电连接可由第二TFT(5b)进行切换。
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公开(公告)号:CN1195117A
公开(公告)日:1998-10-07
申请号:CN98105187.1
申请日:1998-03-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/133
CPC classification number: G02F1/136204
Abstract: 一种显示板包括:相对并在其中插入显示媒质的第一衬底和第二衬底;设置在第一衬底上以交叉并绝缘的多根信号线和多根扫描线;和设置在一根信号线和一根扫描线之间的交叉点附近的多个象素电极,以通过转换元件与一根信号线和一根扫描线相连,同时多个象素电极限定了显示板的显示区域。多根信号线和多根扫描线中的至少一根线具有高电阻部分,其端子接近于显示区域的外部。高电阻部分至少部分地插在第一衬底和第二衬底之间。
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公开(公告)号:CN101636827B
公开(公告)日:2011-06-15
申请号:CN200880008554.9
申请日:2008-02-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/20 , H01L21/322 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13624 , G02F1/1368 , H01L27/1277 , H01L29/78645 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板。在本发明的有源矩阵基板(100)中,半导体层(110)具有与第一薄膜晶体管(130)的源极区域(132)相邻接的第一吸杂区域(112);与第二薄膜晶体管(140)的漏极区域(146)相邻接的第二吸杂区域(114);和第三吸杂区域(116),其与薄膜晶体管元件(120)所包含的薄膜晶体管的源极区域和漏极区域中位于第一薄膜晶体管(130)的沟道区域(134)与第二薄膜晶体管(140)的沟道区域(144)之间的源极区域和漏极区域中的任一个相邻接。
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公开(公告)号:CN101636828A
公开(公告)日:2010-01-27
申请号:CN200880008589.2
申请日:2008-02-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/20 , H01L21/322 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13624 , G02F1/1368 , H01L27/1214 , H01L27/1277 , H01L29/78645 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板。在本发明的有源矩阵基板(100)中,令使以最短距离连接沟道区域(134)和吸杂区域(112)的线段投影在连接TFT(130)的沟道区域(134)和源极接触部的直线上的长度为d 1 ,令从沟道区域(134)至源极接触部(132c)的长度为d 2 ,令从沟道区域(134)至第一端部(110a)的长度为d 3 ,令第一端部(110a)的长度为L 1 ,令源极接触部(132c)的长度为A 1 ,则满足d 2 >d 1 和d 2 +A 1 /2>d 3 +L 1 /2。
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