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公开(公告)号：CN114287089A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202080060790.6
申请日：2020-08-04
Applicant: 国立大学法人京都大学
Abstract: 二维光子晶体面发光激光器(10)具有活性层(11)、二维光子晶体(光子晶体层)(12)以及电极(第一电极(191)和第二电极(192))。二维光子晶体(12)具备配置在活性层(11)的一侧的板状的母材(121)、以及在母材(121)内被配置于规定的晶格的晶格点且折射率与母材(121)的折射率不同的异折射率部(122)，在作为二维光子晶体(12)的至少一部分区域的电流注入区域(120)内，每个位置的能带端频率在与母材(121)平行的一个方向上单调地增加。这样的二维光子晶体(12)例如能够通过以下结构来实现：在异折射率部(122)具有比母材(121)的折射率小的折射率的情况下，在构成所述晶格的单位晶格(123)中异折射率部(122)所占的体积的比例即填充系数在所述一个方向上单调地增加。
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公开(公告)号：CN113454858B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202080015129.3
申请日：2020-02-04
Applicant: 国立大学法人京都大学
IPC: H01S5/18
Abstract: 二维光子晶体面发光激光器(10)具备：活性层(11)；以及光子晶体层(12)，其具有在配置于活性层(11)的一侧的板状的母材(121)上设置的、作为第1二维光子晶体区域的二维光子晶体光放大部(123)以及作为第2二维光子晶体区域的二维光子晶体光反射部(125)，二维光子晶体光放大部(123)具有放大部光子带隙(15)，该放大部光子带隙(15)是在倒易空间的规定的点具有能带端的2个光子能带之间形成的光子带隙，二维光子晶体光反射部(125)设置于二维光子晶体光放大部(123)的周围，具有反射部光子带隙述规定的点具有能带端的2个光子能带之间形成的光子带隙，其中，放大部光子带隙(15)的能量范围与反射部光子带隙(16)的能量范围不同且有一部分重叠。(16)，该反射部光子带隙(16)是在倒易空间的所
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公开(公告)号：CN114287089B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202080060790.6
申请日：2020-08-04
Applicant: 国立大学法人京都大学
Abstract: 二维光子晶体面发光激光器(10)具有活性层(11)、二维光子晶体(光子晶体层)(12)以及电极(第一电极(191)和第二电极(192))。二维光子晶体(12)具备配置在活性层(11)的一侧的板状的母材(121)、以及在母材(121)内被配置于规定的晶格的晶格点且折射率与母材(121)的折射率不同的异折射率部(122)，在作为二维光子晶体(12)的至少一部分区域的电流注入区域(120)内，每个位置的能带端频率在与母材(121)平行的一个方向上单调地增加。这样的二维光子晶体(12)例如能够通过以下结构来实现：在异折射率部(122)具有比母材(121)的折射率小的折射率的情况下，在构成所述晶格的单位晶格(123)中异折射率部(122)所占的体积的比例即填充系数在所述一个方向上单调地增加。
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公开(公告)号：CN113454858A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202080015129.3
申请日：2020-02-04
Applicant: 国立大学法人京都大学
IPC: H01S5/18
Abstract: 二维光子晶体面发光激光器(10)具备：活性层(11)；以及光子晶体层(12)，其具有在配置于活性层(11)的一侧的板状的母材(121)上设置的、作为第1二维光子晶体区域的二维光子晶体光放大部(123)以及作为第2二维光子晶体区域的二维光子晶体光反射部(125)，二维光子晶体光放大部(123)具有放大部光子带隙(15)，该放大部光子带隙(15)是在倒易空间的规定的点具有能带端的2个光子能带之间形成的光子带隙，二维光子晶体光反射部(125)设置于二维光子晶体光放大部(123)的周围，具有反射部光子带隙(16)，该反射部光子带隙(16)是在倒易空间的所述规定的点具有能带端的2个光子能带之间形成的光子带隙，其中，放大部光子带隙(15)的能量范围与反射部光子带隙(16)的能量范围不同且有一部分重叠。
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公开(公告)号：CN119836718A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202380061567.7
申请日：2023-08-24
Applicant: 国立大学法人京都大学
Abstract: 提供一种能够使激光束的截面中的光的强度分布接近均匀的二维光子晶体激光器。二维光子晶体激光器(10)具备：活性层(11)；二维光子晶体层(12)，其设置在活性层(11)的一个面侧，在板状的母材(121)内周期性地二维状地配置有折射率与母材(121)的折射率不同的异折射率区域(122)；以及第一电极(171)和第二电极(172)，该第一电极(171)和第二电极(172)以在层叠方向上夹着活性层(11)和二维光子晶体层(12)的方式设置，其中，第一电极(171)具有开口(175)，第二电极(172)的外切圆向第一电极(171)的投影(1721)位于开口(175)内，第一电极(171)的开口(175)的周围的至少一部分伸出到投影(1721)内。
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公开(公告)号：CN116897478A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202280017173.7
申请日：2022-02-24
Applicant: 国立大学法人京都大学
IPC: H01S5/11
Abstract: 二维光子晶体激光器具备：一对电极(第一电极(171)、第二电极(172))；活性层(11)，其设置在所述一对电极之间，通过被从所述电极注入电流而产生规定波长的光；以及二维光子晶体层(12)，其设置在所述一对电极中的任一方与活性层(11)之间，具有板状的母材(121)以及配置于母材(121)的折射率与母材(121)的折射率不同的多个异折射率区域(122)，其中，所述多个异折射率区域(122)以相对于以与所述规定波长对应的周期周期性地配置于所述母材的二维晶格的各晶格点偏移了各不相同的偏移量的方式配置、和/或以各不相同的面积配置于所述各晶格点，所述多个异折射率区域(122)各自的偏移量和/或面积以由互不相同的多个周期叠加而成的复合调制周期进行调制，使用向量r↑、向量kn↑、幅度An以及相位exp(iαn)示出的调制相位ψ(r↑)用式(1)来表示，向量r↑表示所述二维晶格的各晶格点的位置，向量kn↑表示倾斜角和/或方位角互不相同的n(n为2以上的整数)束的激光束各自的该倾斜角和该方位角的组合，幅度An和相位exp(iαn)是针对n的每个值确定的，n的每个值的所述幅度An和/或相位exp(iαn)至少在两个不同的n值下互不相同。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN115398761A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180025967.3
申请日：2021-03-17
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 三菱电机株式会社
Abstract: 二维光子晶体激光器(10)具备：基板(11)，其由n型半导体构成；p型包覆层(p型半导体层)(131)，其设置在基板(11)的上侧，由p型半导体构成；活性层(14)，其设置在p型包覆层(131)的上侧；二维光子晶体层(16)，其设置在活性层(14)的上侧，是在由n型半导体构成的板状的母材(161)中周期性地配置由折射率与母材(161)的折射率不同的材料构成的异折射率区域(162)而形成的；第一隧穿层(121)，其设置在基板(11)与p型包覆层(131)之间，由载流子密度比基板(11)的载流子密度高的n型半导体构成；第二隧穿层(122)，其以与第一隧穿层(121)接触的方式设置在第一隧穿层(121)与p型包覆层(131)之间，由载流子密度比所述p型半导体层的载流子密度高的p型半导体构成；第一电极(181)，其设置在基板(11)的下侧或基板(11)内；以及第二电极(182)，其设置在二维光子晶体层(16)的上侧。
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