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公开(公告)号：CN117303906A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311206508.2
申请日：2023-09-19
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/622
Abstract: 多形态微结构SiC‑TiB2‑Ti3SiC2强化的复合陶瓷及其制备方法和应用。本发明属于超高温复合陶瓷材料及其制备领域。本发明的目的是为了解决现有的钛副族碳化物复合陶瓷抗弯强度和断裂韧性无法进一步提高的技术问题。本发明方法：将TiC、TiSi2、钛副族硼化物和TiH2粉体混合，然后交替进行超声和球磨，得到复合粉体，烧结后，即可得到复合陶瓷。本发明通过原位反应生成纳米级等轴状SiC，可以起到钉扎晶界的作用，抑制晶粒长大，显著提高材料的综合力学性能，原位生成板条状(Ti,Zr)B2和层状Ti3SiC2晶粒结构导致裂纹在扩展中偏转或桥连，进而大幅度提高了钛副族碳化物陶瓷强度和韧性。
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