公开(公告)号：CN116397211B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202310306980.7

申请日：2023-03-27

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 王振华 ,  李驰 ,  李佳芮 ,  刘思兰 ,  孙东甲 ,  张伟强 ,  周顷禹 ,  邵雪健 ,  孙伟

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/01 ,  C23C16/455 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  C23C14/26 ,  C23C16/56 ,  C01B32/186

Abstract: 一种多层石墨烯的制备方法，属于材料制备技术领域，具体方案包括以下步骤：步骤一、在衬底上蒸镀铜薄膜；步骤二、对铜薄膜进行退火处理；步骤三、使用铜箔包裹在步骤二中退火处理后的铜薄膜的外周，且铜箔和铜薄膜之间留有间隙；步骤四、采用化学气相沉积的方法在铜薄膜上生长多层石墨烯。本发明采用铜箔包裹退火后的铜薄膜作为生长基底，通过化学气相沉积法生长多层石墨烯。即采用铜箔包裹腔体催化裂解空间中的碳源，使其形成微小石墨烯孪晶结构，在包裹腔体内沉积到铜薄膜表面生长的第一层石墨烯表面，沉积的石墨烯孪晶吸附周围碳源持续生长，从而形成石墨烯薄膜，则铜薄膜表面生长出多层石墨烯薄膜。

公开(公告)号：CN116559982A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310523141.0

申请日：2023-05-10

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 李驰 ,  王振华 ,  霍绥凤 ,  付媛媛 ,  高漠涵 ,  李佳芮 ,  刘思兰 ,  孙东甲 ,  张伟强 ,  邵雪健

IPC: G02B1/00 ,  C23C14/04 ,  C23C14/24 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/20 ,  C23C16/04 ,  C23C16/26 ,  C23C28/00

Abstract: 一种多层石墨烯太赫兹超材料结构及其制备方法，属于材料制备领域，具体方案如下：一种多层石墨烯太赫兹超材料结构，包括石墨烯层、衬底层和金薄膜层，所述石墨烯层设置在衬底层的上表面，所述金薄膜层设置在衬底层的下表面；所述石墨烯层包括多层石墨烯，所述石墨烯层包括若干个石墨烯周期结构单元，每一个石墨烯周期结构单元中石墨烯的生长图案呈‘G’字型图案。本发明的多层石墨烯太赫兹材料利用石墨烯的‘G’型结构实现了电场、磁场在石墨烯表面的分布变化，实现了对太赫兹电磁波的响应。同时利用“三明治结构”可以实现太赫兹波在复合结构中的多次反射吸收。

公开(公告)号：CN116397211A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202310306980.7

申请日：2023-03-27

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 王振华 ,  李驰 ,  李佳芮 ,  刘思兰 ,  孙东甲 ,  张伟强 ,  周顷禹 ,  邵雪健 ,  孙伟

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/01 ,  C23C16/455 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  C23C14/26 ,  C23C16/56 ,  C01B32/186

Abstract: 一种多层石墨烯的制备方法，属于材料制备技术领域，具体方案包括以下步骤：步骤一、在衬底上蒸镀铜薄膜；步骤二、对铜薄膜进行退火处理；步骤三、使用铜箔包裹在步骤二中退火处理后的铜薄膜的外周，且铜箔和铜薄膜之间留有间隙；步骤四、采用化学气相沉积的方法在铜薄膜上生长多层石墨烯。本发明采用铜箔包裹退火后的铜薄膜作为生长基底，通过化学气相沉积法生长多层石墨烯。即采用铜箔包裹腔体催化裂解空间中的碳源，使其形成微小石墨烯孪晶结构，在包裹腔体内沉积到铜薄膜表面生长的第一层石墨烯表面，沉积的石墨烯孪晶吸附周围碳源持续生长，从而形成石墨烯薄膜，则铜薄膜表面生长出多层石墨烯薄膜。