公开(公告)号：CN116312654A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310332031.6

申请日：2023-03-31

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 杨博智 ,  娄存恺 ,  程思莹 ,  金威 ,  李翔 ,  秦一凡 ,  张羽 ,  刘志海

IPC: G11B7/243 ,  G11B7/2433

Abstract: 本发明公开了一种基于贝塞尔光束的全光纤大容量存储器件，属于光纤器件存储技术领域，包括单模光纤、多模光纤、光学相变材料薄膜和增反薄膜，多模光纤的一端与单模光纤连接，多模光纤的另一端与光学相变材料薄膜的左端连接，光学相变材料薄膜的右端与增反薄膜连接；单模光纤与多模光纤为同轴焊接，单模光纤与多模光纤同轴焊接后产生贝塞尔光束，光学相变材料薄膜通过射频磁控溅射的方式与多模光纤的端面结合，增反薄膜通过射频磁控溅射的方式与光学相变材料薄膜结合。本发明提供的一种基于贝塞尔光束的全光纤大容量存储器件，可对光学相变材料的相态进行精准调控，同时相对于普通单模光纤存储单元可以实现更多级别的存储。