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公开(公告)号：CN108666574A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810414250.8
申请日：2018-05-03
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明涉及能量存储技术领域，尤其涉及一种能量储存器件，包括正极、负极和电解质，所述正极包括第一透明导电基底和聚吡咯膜，所述聚吡咯膜沉积在所述第一透明导电基底上，所述负极包括第二透明导电基底和锌膜，所述锌膜沉积在所述第二透明导电基底上；还提供了一种所述能量储存器件的制备方法，包括以下步骤：在所述第一透明导电基底上采用电沉积法形成所述聚吡咯膜从而得到所述正极，在所述第二透明导电基底上采用电沉积法形成所述锌膜从而得到所述负极；将所述正极、负极和电解质组装得到所述能量存储器件。本发明提供的能量储存器件具有柔性、透明、电致变色和短路警示等多重功能。
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公开(公告)号：CN108588456A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810383165.X
申请日：2018-04-26
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种Cu-Sn金属间化合物骨架增强相变复合材料及其制备方法，该材料内部存在连续的高熔点金属间化合物骨架结构及低熔点合金，其制备方法包括：S1制备特定尺寸的Cu和Sn基合金粉末；S2对金属粉末进行表面处理，并进行低速-高速二次离心；S3将两种金属粉末按比例混合，得到复合合金粉末；S4经加热、复合，获得具有金属间化合物骨架结构的Cu-Sn基相变复合材料。该复合材料中的金属间化合物骨架具有高熔点(415～640℃)、高机械强度(室温强度可达80MPa、250℃高温强度可达40MPa)和较好的导热导电性能，其成本较低、制备工艺简单，尤其适合应用于热敏感材料和电子制造领域作为热界面材料或封装材料。
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公开(公告)号：CN108666574B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201810414250.8
申请日：2018-05-03
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明涉及能量存储技术领域，尤其涉及一种能量储存器件，包括正极、负极和电解质，所述正极包括第一透明导电基底和聚吡咯膜，所述聚吡咯膜沉积在所述第一透明导电基底上，所述负极包括第二透明导电基底和锌膜，所述锌膜沉积在所述第二透明导电基底上；还提供了一种所述能量储存器件的制备方法，包括以下步骤：在所述第一透明导电基底上采用电沉积法形成所述聚吡咯膜从而得到所述正极，在所述第二透明导电基底上采用电沉积法形成所述锌膜从而得到所述负极；将所述正极、负极和电解质组装得到所述能量存储器件。本发明提供的能量储存器件具有柔性、透明、电致变色和短路警示等多重功能。
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公开(公告)号：CN108588456B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201810383165.X
申请日：2018-04-26
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种Cu‑Sn金属间化合物骨架增强相变复合材料及其制备方法，该材料内部存在连续的高熔点金属间化合物骨架结构及低熔点合金，其制备方法包括：S1制备特定尺寸的Cu和Sn基合金粉末；S2对金属粉末进行表面处理，并进行低速‑高速二次离心；S3将两种金属粉末按比例混合，得到复合合金粉末；S4经加热、复合，获得具有金属间化合物骨架结构的Cu‑Sn基相变复合材料。该复合材料中的金属间化合物骨架具有高熔点(415～640℃)、高机械强度(室温强度可达80MPa、250℃高温强度可达40MPa)和较好的导热导电性能，其成本较低、制备工艺简单，尤其适合应用于热敏感材料和电子制造领域作为热界面材料或封装材料。
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