公开(公告)号：CN102653858B

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210168199.X

申请日：2012-05-28

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 武俊伟 ,  张辉

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明提供了一种磁控溅射与后续氧化制备MnCo尖晶石保护膜的方法，其包括以下步骤：步骤一、准备基板；步骤二、优化磁控溅射制备Mn/Co膜层工艺条件，设置本底真空度、基板加热温度、辉光清洗偏压、溅射气压、溅射功率、溅射基板偏压，所述溅射基板偏压是从小到大至少变化一次的电压；溅射靶材：多膜层成分处理、渐进式加元素法：先镀一层Cr，再镀MnCo合金，Mn/Co摩尔比小于1：1；步骤三、氧化处理生成（Mn，Co）3O4尖晶石。本发明直接购买不同比例的Mn/Co靶材，突破传统共溅射的局限，同时克服水溶液电镀法膜层质量和成分比例不易控制的的缺陷；膜层厚度可以得到优化，减少成本。

公开(公告)号：CN102653858A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201210168199.X

申请日：2012-05-28

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 武俊伟 ,  张辉

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明提供了一种磁控溅射与后续氧化制备MnCo尖晶石保护膜的方法，其包括以下步骤：步骤一、准备基板；步骤二、优化磁控溅射制备Mn/Co膜层工艺条件，设置本底真空度、基板加热温度、辉光清洗偏压、溅射气压、溅射功率、溅射基板偏压，所述溅射基板偏压是从小到大至少变化一次的电压；溅射靶材：多膜层成分处理、渐进式加元素法：先镀一层Cr，再镀MnCo合金，Mn/Co摩尔比小于1：1；步骤三、氧化处理生成（Mn，Co）3O4尖晶石。本发明直接购买不同比例的Mn/Co靶材，突破传统共溅射的局限，同时克服水溶液电镀法膜层质量和成分比例不易控制的的缺陷；膜层厚度可以得到优化，减少成本。