公开(公告)号：CN112661241B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202011419197.4

申请日：2020-12-07

Applicant: 同济大学

Inventor： 张亚男 ,  谷晓彤 ,  胡艺琼 ,  赵国华

IPC: C02F1/461 ,  C02F1/30 ,  C02F101/34

Abstract: 本发明涉及一种{111}晶面高暴露的二氧化钛高效光电极及其制备和应用，制备过程如下：以钛网为钛源，以盐酸为形貌控制剂，以过氧化氢为氧化剂，通过气相水热方法在钛网基底上原位生长顶端{111}晶面暴露的一维直立金红石TiO2纳米棒，通过调节水热反应时间，优化{111}晶面暴露比例达到近100％，制备得到的{111}TiO2/Ti光电极可应用于邻苯二甲酸二甲酯(DMP)废水的深度去除中。与现有技术相比，本发明制备的{111}TiO2/Ti高效光电极选用钛网为钛源，构筑的{111}晶面高暴露的一维二氧化钛纳米棒结构，具有高效光电催化氧化能力和高稳定性，可循环使用。

公开(公告)号：CN112661241A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011419197.4

申请日：2020-12-07

Applicant: 同济大学

Inventor： 张亚男 ,  谷晓彤 ,  胡艺琼 ,  赵国华

IPC: C02F1/461 ,  C02F1/30 ,  C02F101/34

Abstract: 本发明涉及一种{111}晶面高暴露的二氧化钛高效光电极及其制备和应用，制备过程如下：以钛网为钛源，以盐酸为形貌控制剂，以过氧化氢为氧化剂，通过气相水热方法在钛网基底上原位生长顶端{111}晶面暴露的一维直立金红石TiO2纳米棒，通过调节水热反应时间，优化{111}晶面暴露比例达到近100％，制备得到的{111}TiO2/Ti光电极可应用于邻苯二甲酸二甲酯(DMP)废水的深度去除中。与现有技术相比，本发明制备的{111}TiO2/Ti高效光电极选用钛网为钛源，构筑的{111}晶面高暴露的一维二氧化钛纳米棒结构，具有高效光电催化氧化能力和高稳定性，可循环使用。

公开(公告)号：CN113189174B

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202110178404.X

申请日：2021-02-09

Applicant: 同济大学

Inventor： 张亚男 ,  胡艺琼 ,  谷晓彤 ,  赵国华

IPC: G01N27/327

Abstract: 本发明涉及一种具有三维晶面结性质的二氧化钛光电极及其制备和应用，该二氧化钛光电极以钛网为钛源，以盐酸为形貌控制剂，以过氧化氢为氧化剂，通过气相水热方法在钛网基底上原位生长顶端{111}晶面暴露的一维直立金红石TiO2纳米棒；再通过二次水热于纳米棒外生长{101}、{111}纳米片，形成三维晶面结结构(Facet Junction，简称FH)，通过调节水热反应时间和溶剂比例，优化纳米片生长密度和暴露比例，制备得到的FH‑{111}TiO2/Ti光电极可应用于双酚A(BPA)废水的深度去除。与现有技术相比，本发明的光电极具有三维晶面结性质的二氧化钛光电极({111}/{101}、{111}/{110}、{110}/{101})，具有高电荷分离能力和高效光电催化氧化能力，在20～60min内对双酚A表现出100％去除。

公开(公告)号：CN113189174A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN202110178404.X

申请日：2021-02-09

Applicant: 同济大学

Inventor： 张亚男 ,  胡艺琼 ,  谷晓彤 ,  赵国华

IPC: G01N27/327

Abstract: 本发明涉及一种具有三维晶面结性质的二氧化钛光电极及其制备和应用，该二氧化钛光电极以钛网为钛源，以盐酸为形貌控制剂，以过氧化氢为氧化剂，通过气相水热方法在钛网基底上原位生长顶端{111}晶面暴露的一维直立金红石TiO2纳米棒；再通过二次水热于纳米棒外生长{101}、{111}纳米片，形成三维晶面结结构(Facet Junction，简称FH)，通过调节水热反应时间和溶剂比例，优化纳米片生长密度和暴露比例，制备得到的FH‑{111}TiO2/Ti光电极可应用于双酚A(BPA)废水的深度去除。与现有技术相比，本发明的光电极具有三维晶面结性质的二氧化钛光电极({111}/{101}、{111}/{110}、{110}/{101})，具有高电荷分离能力和高效光电催化氧化能力，在20～60min内对双酚A表现出100％去除。